世界最高級出力の深紫外ピコ秒パルスレーザー発振器を開発

2020-03-19

高出力化で電機や航空・宇宙分野の部品加工の高生産性と高品位性を実現

2020-03-19 新エネルギー・産業技術総合開発機構,スペクトロニクス株式会社

NEDOは高輝度・高効率次世代レーザー技術開発に取り組んでおり、今般、スペクトロニクス（株）と共同で、波長266nmの深紫外ピコ秒パルスレーザー発振器で世界最高クラスとなる出力8Wの発振器を開発しました。

従来、深紫外ピコ秒パルスレーザー発振器は、低い波長変換効率が理由で高出力化が困難でした。今回、NEDOとスペクトロニクス（株）は、近赤外レーザー発生技術と高効率波長変換技術の開発により、その課題を解決し、出力向上を実現しました。これにより、生産性と高品位加工性の向上を両立できるレーザー加工ツールとして、電子部品、電気自動車、航空・宇宙などの産業で、部品および素材加工に活用されることが期待できます。

なお、スペクトロニクス（株）は、パルス幅が15ピコ秒以下の深紫外短パルスレーザー発振器として、世界に先駆けて3月23日から販売を開始します。

図1　深紫外ピコ秒パルスレーザー発振器の外観

1．概要

レーザー加工は、非接触である特長を生かして、金属や樹脂、脆性材料などのあらゆる材料に対して機械加工や放電加工では困難な精密加工が可能です。特に、深紫外ピコ秒パルスレーザーは「深紫外」と「ピコ秒」の二つの特徴を持ちます。一つ目の特徴である深紫外光は、ほとんどの材料に対して高い吸収特性を持ち、集光径を小さくすることができるため既存のレーザーではできなかった樹脂、炭素繊維強化プラスチック（CFRP）^※1、ガラスなどの難加工材料に対する微細加工ができます。二つ目の特徴であるピコ秒は、ピコ秒（1兆分の1秒）という超短時間の光照射により照射部の熱が周囲に拡散する前に加工（蒸散）を行うことができるため、材料が熱による影響を受けにくく、高品位な加工ができます。深紫外ピコ秒パルスレーザーは以上の二つの特徴を併せ持ち、穴あけ、切断、パターニング、剥離などさまざまな加工を高品位で微細に行えますが、従来は、低出力による生産性の低さが課題となり生産設備への導入が進んでいませんでした。加えて、低い波長変換効率のため、高出力化が困難でした。

このような背景のもと、国立研究開発法人新エネルギー・産業技術総合開発機構（NEDO）は、「高輝度・高効率次世代レーザー技術開発^※2」に取り組んでおり、今般、スペクトロニクス株式会社と共同で、波長266nmの深紫外ピコ秒パルスレーザー発振器で世界最高クラスとなる出力8Wの発振器を開発しました。

このレーザー発振器は、従来の出力向上の課題を近赤外レーザー発生技術と高効率波長変換技術の開発により解決し、8Wという高出力を実現しました。これにより、生産性と高品位加工性を両立できるレーザー加工のツールとして、電子部品、電気自動車、航空・宇宙などの産業で、部品および素材加工に活用されることが期待できます。

なお、スペクトロニクス（株）は、パルス幅が15ピコ秒以下の深紫外短パルスレーザー発振器として世界に先駆けて3月23日から販売を開始します。

2．今回の成果

【1】近赤外レーザー発生技術の開発

深紫外ピコ秒パルスレーザー発振器は、狭スペクトル幅の波長1064nmのパルス光を生み出すパルス発生部、これを増幅する光パルス増幅部からなる近赤外レーザー部と、深紫外線を生み出す波長変換部によって構成されています（図2）。

図2　深紫外ピコ秒パルスレーザー発振器の概念図

パルス発生部では光通信技術によって培われた堅牢なDFB半導体レーザー^※3をパルス光源に採用し、高速なパルス電流注入により15ピコ秒以下のパルス光を発生させることに成功しました。図3に示されるように高速電流ドライバーを用いて半導体レーザーをパルス変調して緩和振動^※4を発生させ、電流制御によって第2ピーク以降を抑圧する駆動法（ゲインスイッチ駆動）を採用しました。特に、高速電流ドライバーを新規開発することにより、安定したピコ秒パルス発生部を組み込み可能な手のひらサイズで実現しました。また、光パルス増幅部には、ファイバレーザー技術と固体レーザー技術を融合したオリジナリティーの高い技術を採用し、DFB半導体レーザーから得られる光の特性（狭帯スペクトル）を損なうことなく80dB以上の増幅を実現しました。

図3　DFB半導体レーザーのゲインスイッチ駆動原理図と実物写真

【2】高効率波長変換技術（長期安定稼働の実現へ）の開発

深紫外レーザーの課題であった波長変換結晶の劣化による出力低下を、高効率波長変換により抑制しました。CLBO結晶^※5による中間波長（可視レーザー）からの深紫外レーザー発生効率は、従来の短パルス近赤外レーザーを用いた場合、20％前後でしたが、今回開発した近赤外レーザー技術を用いた場合、60％を超える変換効率を実現します。この高効率特性をもとに波長変換部の最適化設計を行った結果、結晶劣化を抑制可能な動作条件下で実用的な変換効率と深紫外光パワーを両立することに成功しました。

この技術により波長266nm平均出力10Wの連続動作で10,000時間を世界で初めて達成しました（図4）。また、繰り返し周波数とパルス幅は200kHz、10ピコ秒で、CLBO結晶のシフト技術^※6は使用せずに達成しました。このように深紫外発生部が長寿命化することで、生産現場におけるメンテナンス周期が長くなり、生産性向上に大きく貢献できます。