2022-06-03 物質・材料研究機構
室温で桁違いに大きなドレイン電流の増減現象 (負性抵抗) を示す有機pn接合トランジスタの負性抵抗の起源について、光電子顕微鏡による“伝導電子を可視化”する技術により明らかにしました。トランジスタがオン状態では、面内pn接合界面で形成される急峻な電位変化により、電子伝導が助長されること、またオフ状態ではp型あるいはn型半導体全体が空乏化し、電子の流れを阻害することで負性抵抗が発現することを明らかにしました。本成果は、NIMS、筑波大学、高エネルギー加速器研究機構による共同研究の成果になります。
論文情報
題目
Carrier Transport Mechanism in Organic Antiambipolar Transistors Unveiled by Operando Photoemission Electron icroscopy
掲載誌
Advanced Materials
掲載日時
2022年5月30日
DOI
10.1002/adma.202201277
