0403電子応用 光で情報を書き換える新しい磁気メモリ材料を開発 ～超高速で省エネな次世代メモリ実現へ前進～
2026-06-08 量子科学技術研究開発機,兵庫県立大学,高輝度光科学研究センター量子科学技術研究開発機構（QST）、兵庫県立大学、高輝度光科学研究センター（JASRI）などの共同研究グループは、レーザー光パルスのみで電子スピンを反転させ...
0403電子応用
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0403電子応用 直径1ナノメートルの半導体ナノチューブを合成――原子レベルで制御された次世代トランジスタのチャネル材料――
2026-06-05 東京大学,産業技術総合研究所,筑波大学,大阪大学,科学技術振興機構東京大学、産業技術総合研究所、筑波大学、大阪大学らの共同研究チームは、窒化ホウ素ナノチューブ（BNNT）内部のナノ空間を利用し、直径約1ナノメートルとい...
0403電子応用 超高速レーザーをチップ上に実装（A Ultrafast Laser on a Chip）
2026-06-04 スイス連邦工科大学ローザンヌ校（EPFL）スイス連邦工科大学ローザンヌ校（EPFL）の研究チームは、従来は大型の光学実験装置を必要としていた超高速フェムト秒レーザーを、フォトニックチップ上に集積することに成功した。この...
0403電子応用 世界初、半導体集積スピントロニクスPビット実証 ―日米の共同研究で確率論的コンピューター開発に新しい景色―
2026-06-02 東北大学東北大学と米国国立標準技術研究所（NIST）の共同研究チームは、スピントロニクスを利用した確率論的コンピューター（Pコンピューター）の基本構成要素である「Pビット」を、世界で初めて半導体集積回路上に実装し、その...
0403電子応用 層状半導体への“キラリティ”の電気化学的書き込みに成功 −キラリティを介したスピン偏極の可逆スイッチングを実証−
2026-06-02 東京科学大学東京科学大学の黄柏融助教、谷口耕治教授らの研究チームは、層状半導体である二硫化モリブデン（MoS₂）の層間にキラル分子イオンを電気化学的に可逆挿入・脱離させることで、半導体のキラリティを電気的にON/OFF...
0403電子応用 テラヘルツ波で物質の「ねじれ」を“地図”のように可視化 ―次世代材料や次世代通信の開発を支える新分光イメージング技術を確立―
2026-06-03 千葉大学千葉大学、東北大学、物質・材料研究機構（NIMS）の研究チームは、テラヘルツ（THz）波を用いて物質内部のキラリティ（右ねじれ・左ねじれ）の空間分布を二次元画像として可視化する世界初の分光イメージング技術を開発...
0403電子応用 清華大学研究チーム、多体系動力学凍結を初観測 （Tsinghua researchers observe many-body dynamical freezing for the first time）
2026-05-28 清華大学清華大学学際情報科学研究所（IIIS）の研究チームは、相互作用する量子多体系において「動的凍結（Dynamical Freezing）」と呼ばれる非平衡量子現象を初めて実験的に観測した。研究では、ダイヤモンド中...
0403電子応用 Ｚ型に曲げられる新型スピン波導波路を発明 ―二次元マグノニック結晶で伝搬距離の壁を突破、低発熱な次世代集積回路へ道―
2026-05-28 東北大学東北大学、信越化学工業、スイス連邦工科大学ローザンヌ校の共同研究グループは、スピン波を高効率で伝搬できる新型の「Z型スピン波導波路」を開発した。研究成果は『Physical Review Applied』に掲載...
0403電子応用 反強磁性体における巨大な磁気光学効果の実証に成功 ―非自明なスピン配列による新機構、磁気情報の読み出し方法として期待―
2026-05-27 東京大学東京大学、理化学研究所などの共同研究チームは、磁化を持たない反強磁性体において、巨大な「トポロジカル磁気光学効果」を実証することに成功した。研究成果は『Nature Communications』に掲載された。...
0403電子応用 光電極における結晶面選択的な反応メカニズムを解明 ― 合理的な光電極設計指針の確立に期待 ―
2026-05-28 名古屋工業大学,科学技術振興機構,名古屋大学,金沢大学,東京都立大学名古屋工業大学、名古屋大学、金沢大学、東京都立大学などの共同研究チームは、走査型電気化学セル顕微鏡（SECCM）を用いて、バナジン酸ビスマス（BiVO...
0403電子応用 耐圧kV級GaN光伝導型スイッチの動作実証に成功 ―再生可能エネルギーにおける電力変換用途に期待―
2026-05-25 東京大学東京大学と三菱ケミカルの研究グループは、耐圧kV級のGaN光伝導型スイッチ（PCSS）の動作実証に成功した。成果はISPSD 2026で発表予定である。研究では、Mn添加半絶縁性GaNバルク基板にSiイオン注入...
0403電子応用 超低損失AlN系ショットキーバリアダイオードの試作に成功 ―低炭素社会に寄与する新しいパワー半導体の実現に向け大きく前進―
2026-05-25 東京大学東京大学大学院工学系研究科とNTTは、超低損失なAlN系ショットキーバリアダイオード（SBD）の試作実証に成功した。成果はISPSD 2026で発表予定である。研究では、組成傾斜AlGaN耐圧維持層とAlN/A...