1200ボルトクラスのショットキーバリアダイオード内蔵SiCトランジスタを開発

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AIST: 産業技術総合研究所

発表・掲載日:2017/12/05

1200ボルトクラスのショットキーバリアダイオード内蔵SiCトランジスタを開発

-ハイブリッド車(HEV)/電気自動車(EV)向けの高効率・高信頼パワーモジュール実現へ-

ポイント

  • 1200 V耐圧クラスのトランジスタの量産レベル試作品で内蔵ダイオードが順方向劣化しないことを実証
  • ショットキーバリアダイオード(トレンチSBD)内蔵のSiC縦型トレンチMOSFET(トランジスタ)を開発
  • HEVやEV向けのオール炭化ケイ素(SiC)パワーモジュールの高効率化・高信頼性化に貢献

概要

国立研究開発法人 産業技術総合研究所【理事長 中鉢 良治】(以下「産総研」という)先進パワーエレクトロニクス研究センター【研究センター長 奥村 元】SiCパワーデバイスチーム 原田 信介 研究チーム長らのグループは、富士電機株式会社との共同研究で、炭化ケイ素(SiC)半導体を用いた1200 V(ボルト)耐電圧(耐圧)クラスのトランジスタである縦型MOSFETとして、低いオン抵抗と内蔵ダイオードの高い信頼性を両立した独自構造のデバイス(SWITCH-MOSSBD-Wall Integrated Trench MOS)を開発し、量産レベルの試作品で性能を実証した。

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