エネルギー効率の高いコンピューティングのために2次元磁性材料を利用する研究者たち(Researchers harness 2D magnetic materials for energy-efficient computing)

ad

2024-02-22 マサチューセッツ工科大学(MIT)

MITの研究者は、室温でバン・デル・ワールス磁石を制御する手法を実証し、これによりエネルギー効率が向上し、高速で消費電力が少ないコンピュータの開発が可能になります。特殊な材料と電子のスピンを活用して、磁化の切り替えを実現しました。これにより、磁性コンピュータメモリーやプロセッサーの開発が進む可能性があります。

<関連情報>

室温におけるファンデルワールス強磁性体の電流誘起スイッチング Current-induced switching of a van der Waals ferromagnet at room temperature

Shivam N. Kajale,Thanh Nguyen,Corson A. Chao,David C. Bono,Artittaya Boonkird,Mingda Li & Deblina Sarkar
Nature Communications  Published:19 February 2024
DOI:https://doi.org/10.1038/s41467-024-45586-4

エネルギー効率の高いコンピューティングのために2次元磁性材料を利用する研究者たち(Researchers harness 2D magnetic materials for energy-efficient computing)

Abstract

Recent discovery of emergent magnetism in van der Waals magnetic materials (vdWMM) has broadened the material space for developing spintronic devices for energy-efficient computation. While there has been appreciable progress in vdWMM discovery, a solution for non-volatile, deterministic switching of vdWMMs at room temperature has been missing, limiting the prospects of their adoption into commercial spintronic devices. Here, we report the first demonstration of current-controlled non-volatile, deterministic magnetization switching in a vdW magnetic material at room temperature. We have achieved spin-orbit torque (SOT) switching of the PMA vdW ferromagnet Fe3GaTe2 using a Pt spin-Hall layer up to 320 K, with a threshold switching current density as low as Jsw=1.69 × 106 A cm−2 at room temperature. We have also quantitatively estimated the anti-damping-like SOT efficiency of our Fe3GaTe2/Pt bilayer system to be §DL=0.093, using the second harmonic Hall voltage measurement technique. These results mark a crucial step in making vdW magnetic materials a viable choice for the development of scalable, energy-efficient spintronic devices.

0403電子応用
ad
ad
Follow
ad
タイトルとURLをコピーしました