0403電子応用 2次元半導体で室温量子発光を実現（Bright Quantum Light Emission Achieved at Room Temperature in 2D Semiconductors）
2026-04-14 韓国基礎科学研究院（IBS）韓国IBSの研究チームは、二次元半導体において室温で高効率な量子発光を実現した。従来は低温や複雑な電気制御が必要だったが、本研究ではMoS₂単層下にナノホール構造を形成し、励起子を局所的に閉...
0403電子応用
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0403電子応用 イヤホン内蔵カメラによる視覚情報×AI対話技術（Tiny cameras in earbuds let users talk with AI about what they see）
2026-04-14 ワシントン大学（UW）米国のUniversity of Washingtonの研究チームは、カメラを内蔵したワイヤレスイヤホン「Vuebuds」を開発した。小型カメラで周囲の映像を取得し、AIが物体や文字、人物の動きを...
0403電子応用 ナノサイズの「磁気の渦」の正体を解明 ― 次世代・超省電力メモリ実現へ新たな設計指針 ―
2026-04-14 東北大学東北大学と京都産業大学の研究チームは、ナノサイズの磁気渦構造「磁気スキルミオン」が極小サイズで多様な形態をとる原因を解明した。放射光を用いた角度分解光電子分光により、電子状態の変化であるリフシッツ転移がスキルミ...
0403電子応用 単一電子が半導体チップに与える損傷を説明する新モデル（New model explains how single electrons cause damage inside silicon chips）
2026-04-14 カリフォルニア大学サンタバーバラ校（UCSB）米国のカリフォルニア大学サンタバーバラ校の研究チームは、単一電子がシリコンチップ内部で損傷を引き起こす仕組みを説明する新モデルを提案した。半導体デバイスでは微小スケールでの...
0403電子応用 スピン‐フォノン結合が長距離磁気秩序なしで観測（Spin-Phonon Coupling Observed Without Long-Range Magnetic Order）
2026-04-09 合肥物質科学研究院（HFIPS）中国科学院合肥物質科学研究院（HMFL）の盛志高教授らは、長距離磁気秩序がない状態でも強いスピン‐フォノン結合が生じることを初めて直接観測し、「Physical Review B」に報告...
0403電子応用 水素終端ゲルマニウム層状半導体（ゲルマナン）において記録的な正孔移動度を達成 ──2D/3D同一元素ヘテロ界面による新たな材料開発の指針──
2026-04-09 東京大学東京大学大学院総合文化研究科の研究チームは、水素終端ゲルマニウム層状半導体「ゲルマナン（GeH）」において、記録的な正孔移動度（67,000 cm²/Vs）を達成した。3Dゲルマニウム基板上に2Dゲルマナンを形...
0403電子応用 リラクサー強誘電体の長年の謎を解明 ―ナノ極性領域の成長と相互作用を初めて直接観測―
2026-04-09 東北大学東北大学多元物質科学研究所らの研究グループは、リラクサー強誘電体の性能起源に関する長年の謎を解明した。最先端の4D-STEM電子顕微鏡により、分極ナノ領域（PNR）が温度低下とともに成長し、ネットワーク状に連結...
0403電子応用 原子レベル磁性制御による高速・高性能電子機器開発（How Argonne scientists are paving the way for faster, smarter electronics）
2026-04-08 アルゴンヌ国立研究所（ANL）アルゴンヌ国立研究所の研究者らは、より高速で高性能な電子機器実現に向けた新材料・新技術を開発している。従来のシリコン半導体の限界を克服するため、量子材料や先端ナノ構造を活用し、電子の移動や...
0403電子応用 マイクロ波光子を検出する超小型検出器が量子技術を前進させる可能性（A tiny detector for microwave photons could advance quantum tech）
2026-04-06 スイス連邦工科大学ローザンヌ校（EPFL）スイスのÉcole polytechnique fédérale de Lausanneの研究チームは、極めて微弱なマイクロ波光子を検出できる超小型検出器を開発した。従来、マイ...
0403電子応用 電圧駆動による安定な磁気情報書き込みの新技術を開発 －超低消費電力な不揮発性メモリーMRAMの実現へ－
2026-04-03 産業技術総合研究所産業技術総合研究所（産総研）は、電圧によって磁気情報を書き込む新手法「電圧誘起スタティック磁化反転法」を開発し、次世代不揮発性メモリーMRAMの低消費電力化と高安定化を実現した。人工反強磁性体構造を用...
0403電子応用 原子層二次元材料の波長変換を音響波で高速制御することに成功－原子レベルの薄さと微小なひずみを活用したナノ光デバイスの実現へ前進－
2026-04-01 慶應義塾大学,東京科学大学慶應義塾大学と東京科学大学の研究チームは、原子層二次元材料に音響波（表面弾性波）を与えることで、光の波長変換（第二高調波発生）を高速かつ高効率に制御する手法を実証した。原子数層の薄膜に生じる微...
0403電子応用 分子を「曲げる」ことで有機半導体の光耐久性を向上 ―光に強く高性能な次世代材料の開発に成功―
2026-04-01 京都大学京都大学の研究チーム（清水大貴助教、松田建児教授ら）は、有機半導体ルブレンの構造を改良し、光耐久性を大幅に向上させた新材料「縮環ルブレン（FR）」を開発した。従来のルブレンは高性能ながら光や酸素に弱い課題があっ...