0403電子応用

2026-09-18 中国科学院（CAS）中国科学院杭州医学研究所の趙子光氏らは、イオンを信号媒体として利用するゲル型イオントランスポーター（GIT）を開発し、神経系の情報処理を模倣するイオントロニック・ニューロモルフィックデバイスを実現し...

2026-09-16 マサチューセッツ工科大学(MIT)MITの研究チームは、ナノスケールの機械的変形そのものを計算と記憶に利用するニューロモルフィックデバイスを開発した。柔らかな粘弾性ポリマーPDMSを2枚の金属電極の間に挟み、電圧を加え...

2026-09-17 ローレンス・バークレー国立研究所（LBNL）ローレンス・バークレー国立研究所（Berkeley Lab）主導の研究チームは、2次元半導体内部の電子と欠陥の相互作用を、これまでより直接的かつ高い空間分解能で観察する手法を...

2026-09-17 コンコルディア大学コンコルディア大学、INRS、ヨーク大学の研究者らは、有機半導体の導電性を高める新しいドーピング法「degradation-assisted doping（DAD）」を開発した。従来の化学ドーパントは...

2026-09-16 早稲田大学光のスキルミオンと磁気スキルミオンという、異なる物理系に現れるトポロジカル構造の相互作用を、コンピューターシミュレーションで理論的に解析した。光のスキルミオンを磁性体薄膜中の磁気スキルミオンに照射すると、回転...

2026-09-08 スタンフォード大学スタンフォード大学とSLAC国立加速器研究所の研究チームは、電気デバイスで消費されたエネルギーが熱として失われる「エネルギー散逸」を高精度に測定する手法を開発した。液晶をモデル系として、電圧を変化させ...

2026-09-10 ペンシルベニア州立大学（Penn State）ペンシルベニア州立大学とKurt J. Lesker Companyは、半導体、量子技術、フォトニクスなど次世代技術に必要な原子レベルの薄膜形成・加工技術を共同開発する拠点...