0403電子応用電子伝導性と製造プロセス性のいいとこ取り！高移動度かつ大面積塗布可能なｎ型有機半導体を開発
2023-09-21東京大学,筑波大学,北里大学,理化学研究所発表のポイント◆電子伝導性と大面積塗布をあわせ持つ新規n型有機半導体を開発しました。◆分子に非対称に置換基を導入する分子模倣のコンセプトにより、既存の高性能n型有機半導体の結晶構...
0403電子応用
0403電子応用
0403電子応用ナノスケールで飛び立つ電子(Electrons take flight at the nanoscale)
電子の流れを可視化することで、飛行機の翼に着想を得た新デバイスの動機付けを得るVisualizingelectronflowmotivatesnewdevicesinspiredbyairplanewings2023-09-19カリフォルニ...
0403電子応用人工多感覚統合ニューロンでAIを賢くする(Making AI smarter with an artificial, multisensory integrated neuron)
2023-09-12ペンシルベニア州立大学(PennState)◆ペンシルベニア州立大学の研究チームは、生物学の概念を応用して、人工知能(AI)向けの最初の人工多感覚統合ニューロンを開発しました。彼らは触覚センサーと視覚センサーを統合し、そ...
0403電子応用科学者ら、地表の半導体にとって重要な物質の謎を解明(Scientists uncovered mystery of important material for semiconductors at the surface)
2023-9-14オークリッジ国立研究所(ORNL)◆オークリッジ国立研究所の科学者たちは、ハフニウム酸化物（ハフニア）の挙動を調査し、新しい半導体アプリケーションに利用可能かどうかを調査しました。ハフニアはフェロ電性を示し、電源が切断され...
0403電子応用電子機器内の温度上昇をシンプルな回路構成で検知するThermoflagger™のラインアップ拡充について
2023-09-14東芝デバイス＆ストレージ株式会社当社は、PTCサーミスターと組み合わせるだけのシンプルな回路構成で、電子機器内の温度上昇を検出可能にしたThermoflagger™（過熱監視IC）「TCTH0xxxEシリーズ」に6品種を...
0403電子応用高精度な熱電デバイスの変換効率評価装置を開発～国際標準化による熱電発電の新市場創出や拡大に貢献～
2023-09-13新エネルギー・産業技術総合開発機構,産業技術総合研究所NEDOは「クリーンエネルギー分野における革新的技術の国際共同研究開発事業」（以下、本事業）に取り組んでおり、今般、産業技術総合研究所と共同で、高精度な熱電デバイスの...
0403電子応用AIモデルが高解像度コンピューターヴィジョンを高速化(AI model speeds up high-resolution computer vision)
2023-09-12マサチューセッツ工科大学(MIT)◆MITの研究者は、限られたハードウェアリソースを持つデバイスで高解像度画像のセマンティック・セグメンテーション（物体認識）をリアルタイムで行う効率的なコンピュータビジョンモデルを開発し...
0403電子応用シリコンカーバイド（SiC）量子センサーの高感度化を実現！ ～次世代パワー半導体の信頼性向上へ～
2023-09-06量子科学技術研究開発機構ポイント量子操作によってシリコンカーバイド（SiC）量子センサーの温度感度を倍以上向上これまでの手法では測れなかった100℃以上の高温領域での測定に成功電源機器等での製品化が進むパワー半導体の性能...
0403電子応用酸化物初の熱的相変化を活用した電気抵抗スイッチングを実証 ～多値記憶可能な相変化メモリーデバイスの実現に期待～
2023-09-06東北大学大学院理学研究科化学専攻助教河底秀幸（かわそこひでゆき）【発表のポイント】相変化メモリ（注1）は、電源を切っても記憶した情報が消えない不揮発性メモリの一種で、その動作原理である「熱的相変化を活用した電気抵抗スイッ...
0403電子応用アナログとデジタル：1つのエネルギー効率の高いシステムで両方の世界のベスト(Analog & digital: best of both worlds in one energy-efficient system)
2023-0906 スイス連邦工科大学ローアン校（EPFL）◆研究者たちは、アナログ情報処理とデジタルデバイスの精度を組み合わせた新技術を開発しました。2次元半導体とフェロ電気材料を統合することで、エネルギー効率向上と新しいコンピューティン...
0403電子応用信越化学のQST基板上でGaNの剥離／接合技術を開発～社会実装可能な縦型GaNパワーデバイスの実現と普及に貢献～
2023-09-05沖電気工業株式会社(OKI)OKIは、信越化学工業株式会社（東京都、代表取締役社長 斉藤恭彦、以下信越化学）と共同で、信越化学が独自改良したQST®基板(注1)からOKIのCFB®技術(注2)を用いてGaN（窒化ガリウム...
0403電子応用残渣のない電界効果トランジスタでシリコンを超える技術を開拓(Pioneering beyond-silicon technology via residue-free field effect transistors)
2023-09-04韓国基礎科学研究院(IBS)◆韓国の研究者チームが、電界効果トランジスタ（FET）の製造に革命的な進歩をもたらす発見をしました。これにより、シリコンベースの半導体技術の限界を克服する可能性が生まれました。◆従来の製造方法...