0403電子応用

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シリコンの新しいスピン物性を発見

巧妙かつ人工的にスピン軌道相互作用(SOI)をシリコンに発現させ、外部磁場を全く用いずにシリコン中の流れるスピンを操作することに成功した。この成功により、情報素子の産業応用上最適な材料であるシリコンを用いてスピン演算をよりコンパクトな素子で実現できる道程を開拓することができた。
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MIT が「マジック」材料を多用途の電子デバイスに転換 (MIT turns “magic” material into versatile electronic devices)

マジック・アングル・ツイスト二層グラフェン(magic-angle twisted bilayer graphene: MATBG)による 2D 材料プラットフォームにおいて、ジョセフソン接合(超伝導スイッチ)、トンネル分光デバイスおよび単一電子トランジスタの 3 種類の量子電子デバイスを実証。
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NREL がシナプスのようなフォトトランジスタ開発を報告 (Scientists at NREL Report New Synapse-Like Phototransistor)

金属ハロゲン化物ペロブスカイト半導体を使用した、エネルギー効率に優れたフォトトランジスタの開発を報告。太陽電池をはじめ様々な技術で有用となるユニークな機能システムのペロブスカイト半導体と単層カーボンナノチューブ(SWCNTs)の 2 種類の材料を組合せて作製できるシンプルなデバイスで、単純化したメモリのような作動を実証した。
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1.25億ギガビット毎秒、ポート数10万超の世界最大容量の光スイッチ技術

小型低電力のシリコンフォトニクス光スイッチを多数用いて大規模化を実現する光伝送実験に成功。従来、制限要因となっていたポート間クロストークを正確に予測し、ネットワーク容量を最大化。
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Snを添加したIGZO材料を用いた三次元集積メモリデバイスを開発

Snを添加した酸化物半導体IGZOを用いたトランジスタと強誘電体HfO2キャパシタを集積し、プロセッサの集積回路の配線層に混載可能なメモリデバイス技術の開発に成功した。
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300 mmウエハー積層により単結晶トンネル接合素子をLSIに集積化

不揮発性メモリーMRAM用の単結晶記憶素子をシリコンLSIに集積化する製造プロセス技術を開発した。
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低電圧かつ長寿命のハフニア系強誘電体メモリを開発

1ボルト以下の極めて低い動作電圧で100兆回の書き換え回数を達成できる強誘電体メモリの開発に成功。酸化ハフニウム系強誘電体の低温作製・極薄膜化・高い強誘電特性を両立させる技術を確立し、配線工程中での作製・低電圧でのデータ読み書き・高信頼性を備えた強誘電体メモリを実現。
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SiCモノリシックパワーICの開発に成功~世界初!SiC縦型MOSFETとSiC CMOSをワンチップ集積化~

炭化ケイ素(SiC)半導体を用い、耐電圧1.2 kVクラスの縦型MOSFETと、CMOS構成された駆動回路を同一チップに集積したモノリシックパワーICを世界で初めて実現し、そのスイッチング動作を確認した。
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革新的な ULTRARAMTM メモリーチップへの最初の一歩 (First steps towards revolutionary ULTRARAMTM memory chips)

独自に開発する新型のユニバーサルメモリの「ULTRARAMTM」を初めて小型(4-bit)アレイに集積し、次世代 ULTRARAMTM メモリチップのベースとなる新たなメモリアーキテクチャの実証に成功。共鳴トンネル効果を最大に活用できるようデバイス設計を変更し、初期プロトタイプの 2,000 倍の速度に加え、データ保持への影響無く、フラッシュメモリの最低でも 10 倍の P/E サイクルを達成した。
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1Vで動作する高性能薄膜トランジスタを印刷のみで作製

低温焼結塗布型シリカ (LCSS) を開発し、高性能な印刷薄膜トランジスタ (TFT) と、素子をつなぐ 3 次元印刷配線の形成を可能にした。
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