0403電子応用 70年間測定できなかった磁石の「反転試行時間」を初めて決定 ― 次世代磁気デバイス設計に新指針 ―
2026-04-22 東北大学東北大学の研究チームは、約70年間未解明だった磁石の「反転試行時間」を初めて実験的に決定した。磁化反転はエネルギー障壁を越える現象としてアレニウス則で記述されるが、その試行頻度は従来1ナノ秒程度と仮定されていた...
0403電子応用
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0403電子応用 クローキングによる銀線の不可視化を実現 −光が物体を迂回するコーティング−
2026-04-21 東京科学大学東京科学大学と芝浦工業大学の研究チームは、銀ナノワイヤを光学的に不可視化するクローキング技術を世界で初めて実験的に実証した。クローキングとは、物体を特殊な媒質で覆い、光を周囲へ迂回させることで存在を検出でき...
0403電子応用 反強磁性体を用いたトンネル磁気抵抗効果の理論予測 ～次世代高密度・超高速磁気メモリーの開発に貢献～
2026-04-17 東京大学,JSR株式会社,京都大学,東京都立大学,東北大学,理化学研究所,科学技術振興機構本研究は、東京大学などの研究グループが、ノンコリニア反強磁性体を用いた磁気トンネル接合（MTJ）において、大きなトンネル磁気抵抗...
超伝導量子素子内で発生する新たなタイプの正孔伝導現象を観測～超伝導体内に侵入した水素の量子性の解明にも期待～
2026-04-16 九州大学九州大学の研究グループは、超伝導量子素子内に侵入した水素原子核（プロトン）の量子挙動に起因する新たな正孔伝導現象を初めて観測した。ニオブ製ジョセフソン接合に水素を導入し極低温で電流‐電圧特性を解析した結果、プロ...
0403電子応用 任意波長レーザーをオンチップで生成する技術（Any Color You Like: NIST Scientists Create ‘Any Wavelength’ Lasers in Tiny Circuits for Light）
2026-04-15 米国国立標準技術研究所（NIST）米国のNational Institute of Standards and Technology（NIST）の研究者らは、極小回路上で任意の波長を生成できる新しいレーザー技術を開発し...
0403電子応用 量子技術向け材料開発：レーザー技術で極限条件の薄膜合成を実現（Making Materials for Quantum Technologies: Laser Technique Unlocks Extreme Conditions for Thin Film Synthesis）
2026-04-15 カリフォルニア工科大学（Caltech）Caltechの研究チームは、量子技術向け材料の開発に向け、極限環境を再現できる新たなレーザー技術を用いた薄膜合成手法を開発した。従来困難だった高温・高圧条件をレーザーで瞬間的に...
0403電子応用 2次元半導体で室温量子発光を実現（Bright Quantum Light Emission Achieved at Room Temperature in 2D Semiconductors）
2026-04-14 韓国基礎科学研究院（IBS）韓国IBSの研究チームは、二次元半導体において室温で高効率な量子発光を実現した。従来は低温や複雑な電気制御が必要だったが、本研究ではMoS₂単層下にナノホール構造を形成し、励起子を局所的に閉...
0403電子応用 イヤホン内蔵カメラによる視覚情報×AI対話技術（Tiny cameras in earbuds let users talk with AI about what they see）
2026-04-14 ワシントン大学（UW）米国のUniversity of Washingtonの研究チームは、カメラを内蔵したワイヤレスイヤホン「Vuebuds」を開発した。小型カメラで周囲の映像を取得し、AIが物体や文字、人物の動きを...
0403電子応用 ナノサイズの「磁気の渦」の正体を解明 ― 次世代・超省電力メモリ実現へ新たな設計指針 ―
2026-04-14 東北大学東北大学と京都産業大学の研究チームは、ナノサイズの磁気渦構造「磁気スキルミオン」が極小サイズで多様な形態をとる原因を解明した。放射光を用いた角度分解光電子分光により、電子状態の変化であるリフシッツ転移がスキルミ...
0403電子応用 単一電子が半導体チップに与える損傷を説明する新モデル（New model explains how single electrons cause damage inside silicon chips）
2026-04-14 カリフォルニア大学サンタバーバラ校（UCSB）米国のカリフォルニア大学サンタバーバラ校の研究チームは、単一電子がシリコンチップ内部で損傷を引き起こす仕組みを説明する新モデルを提案した。半導体デバイスでは微小スケールでの...
0403電子応用 スピン‐フォノン結合が長距離磁気秩序なしで観測（Spin-Phonon Coupling Observed Without Long-Range Magnetic Order）
2026-04-09 合肥物質科学研究院（HFIPS）中国科学院合肥物質科学研究院（HMFL）の盛志高教授らは、長距離磁気秩序がない状態でも強いスピン‐フォノン結合が生じることを初めて直接観測し、「Physical Review B」に報告...
0403電子応用 水素終端ゲルマニウム層状半導体（ゲルマナン）において記録的な正孔移動度を達成 ──2D/3D同一元素ヘテロ界面による新たな材料開発の指針──
2026-04-09 東京大学東京大学大学院総合文化研究科の研究チームは、水素終端ゲルマニウム層状半導体「ゲルマナン（GeH）」において、記録的な正孔移動度（67,000 cm²/Vs）を達成した。3Dゲルマニウム基板上に2Dゲルマナンを形...