脱炭素を支えるSiCパワー半導体の利用拡大を規格が後押し －ウェハ欠陥試験法の国際標準化によりSiC製品の普及を促進－

産業技術総合研究所（産総研）は、炭化ケイ素（SiC）パワー半導体の製造に用いるエピタキシャルウェハについて、X線トポグラフ法による欠陥試験方法を定めた国際規格「IEC 63068-5:2026」の発行に貢献した。SiCパワー半導体は、電気自動車や再生可能エネルギー設備などで電力損失を低減する重要なデバイスだが、結晶中の欠陥は製品の歩留まりや信頼性を低下させる要因となる。従来の光学検査やフォトルミネッセンス法では検出が難しい欠陥もあり、国際的に統一された評価基準の整備が課題だった。今回標準化されたX線トポグラフ法は、X線回折を利用してウェハ全体の結晶欠陥を可視化する非破壊検査技術である。産総研は、電子情報技術産業協会（JEITA）などと連携し、長年の品質評価研究を基に国際標準化を進めてきた。共通の試験基準により、製造工程の品質管理、歩留まり向上、製品の信頼性確保が促進され、電動車や電力インフラ向けSiC製品の普及と脱炭素化への貢献が期待される。