0403電子応用 脱炭素を支えるSiCパワー半導体の利用拡大を規格が後押し －ウェハ欠陥試験法の国際標準化によりSiC製品の普及を促進－
月間Tii優秀記事に選定週のTii優秀記事に選定2026-10-27 産業技術総合研究所産業技術総合研究所（産総研）は、炭化ケイ素（SiC）パワー半導体の製造に用いるエピタキシャルウェハについて、X線トポグラフ法による欠陥試験方法を定めた国...
SiCパワー半導体
0403電子応用 
0402電気応用 ロームがグリーンイノベーション基金事業の技術目標を2年前倒しで達成しました ―8インチSiCデバイス製造体制の構築完了―
2026-04-02 新エネルギー・産業技術総合開発機構NEDOは、グリーンイノベーション基金事業において、ロームが進める8インチSiC MOSFET開発の技術目標が当初計画より2年前倒しで達成されたと発表した。ロームは8インチSiCウエハ...
0403電子応用 電力密度を大幅に向上可能な「樹脂絶縁型SiCパワー半導体モジュール」を開発～「小面積チップの分散配置設計」と「AIを活用した設計最適化」で、熱抵抗を21％低減。電力変換器の小型化によりカーボンニュートラルの実現に貢献～
2025-06-04 株式会社東芝東芝は、樹脂絶縁型SiC（炭化ケイ素）パワー半導体モジュールの開発に成功しました。このモジュールは、従来のセラミック絶縁型と比べて熱抵抗を21%低減し、冷却システムのサイズを最大61%縮小可能と試算されてい...
0400電気電子一般 業界初、省エネ家電製品を実現するインテリジェントパワーモジュールを開発～新開発のパワーデバイスで家庭の電力消費量削減に貢献します～
2025-04-15 新エネルギー・産業技術総合開発機構2025年4月15日、NEDO（新エネルギー・産業技術総合開発機構）は、三菱電機と共同で、家庭用エアコンの消費電力を大幅に削減可能なインテリジェントパワーモジュール（IPM）を開発し...