X線トポグラフ法

脱炭素を支えるSiCパワー半導体の利用拡大を規格が後押し－ウェハ欠陥試験法の国際標準化によりSiC製品の普及を促進－

2026-10-27 産業技術総合研究所産業技術総合研究所（産総研）は、炭化ケイ素（SiC）パワー半導体の製造に用いるエピタキシャルウェハについて、X線トポグラフ法による欠陥試験方法を定めた国際規格「IEC 63068-5:2026」の発行...

2026-10-28

0403電子応用