2022-04-11 物質・材料研究機構
GaN各表面に種々の酸化ガスを照射しながらの光電子分光測定と理論計算の両面からGaN表面酸化ダイナミックスを検討した。GaN 縦型MOSパワーデバイスのチャネルとなるm面で強く酸化されること、アルミナ酸化層とp型GaNとの界面酸化反応が激しいことが明らかとなった。本論文のO1s内殻スペクトルデータ群はMOS界面準位密度を低減させる表面処理方法や酸化膜形成技術開発につながることが期待される。本成果は機能性材料研究拠点 次世代半導体G 角谷正友 主席研究員と理研、JAEAとの共同研究で行われた。
論文情報
題目 High reactivity of H2O vapor on GaN surfaces
掲載誌 Science and Technology of Advanced Materials
掲載日時 2022年4月8日
DOI 10.1080/14686996.2022.2052180
