0403電子応用 層状半導体への“キラリティ”の電気化学的書き込みに成功 −キラリティを介したスピン偏極の可逆スイッチングを実証−
2026-06-02 東京科学大学東京科学大学の黄柏融助教、谷口耕治教授らの研究チームは、層状半導体である二硫化モリブデン（MoS₂）の層間にキラル分子イオンを電気化学的に可逆挿入・脱離させることで、半導体のキラリティを電気的にON/OFF...
スピントロニクス
0403電子応用 
1701物理及び化学 量子センサーで新しい磁性体「アルターマグネット」を検出する手法を提案（Quantum Sensor May Be Able to Identify New Type of Magnetism）
2026-05-29 バッファロー大学（UB）バッファロー大学の研究チームは、近年発見された新しい磁性状態「アルターマグネティズム（altermagnetism）」を検出するための量子センシング手法を提案した。アルターマグネティズムは、強磁...
0403電子応用 反強磁性体における巨大な磁気光学効果の実証に成功 ―非自明なスピン配列による新機構、磁気情報の読み出し方法として期待―
2026-05-27 東京大学東京大学、理化学研究所などの共同研究チームは、磁化を持たない反強磁性体において、巨大な「トポロジカル磁気光学効果」を実証することに成功した。研究成果は『Nature Communications』に掲載された。...
0403電子応用 超高速・超低省電力で動作する不揮発量子スイッチング素子 ―40ピコ秒動作、次世代コンピュータ・データセンター省エネへ―
2026-05-15 東京大学東京大学と理化学研究所などの研究グループは、反強磁性体Mn3Snを用いた超高速・超低消費電力の不揮発量子スイッチング素子を開発した。研究成果は『Science』に掲載された。従来のCPUやGPUでは高速化に伴い...
0403電子応用 閃光で一瞬！スピンデバイスを作る ―ミリ秒光パルス照射で、磁気メモリ・センサの熱処理を約1.7秒で完了―
2026-05-12 大阪大学大阪大学産業科学研究所の今井亜希子助教、千葉大地教授らの研究グループは、磁気メモリ（MRAM）や磁気センサに使われる磁気トンネル接合（MTJ）の超高速熱処理技術を開発した。研究成果は2026年にnpj spin...
0403電子応用 生命のキラリティを共有する次世代半導体の実用性向上（Next-gen semiconductors that share life’s handedness just got more practical）
2026-04-27 バッファロー大学（UB）バッファロー大学の研究チームは、生体分子と同様の「キラリティ（左右性）」を持つ次世代半導体材料の実用化に向けた新手法を開発した。従来、この種の半導体は合成が難しく安定性や効率に課題があったが、本...
0403電子応用 次世代絶縁性量子材料から電気信号の抽出に成功 ― トポロジカル量子コンピューターの核心「量子スピン液体」の制御へ前進 ―
2026-04-23 東北大学東北大学と東京大学などの研究チームは、量子スピン液体候補物質であるα-RuCl₃からスピン情報を電気信号として検出することに成功した。従来、絶縁体であるため測定が困難だったが、白金（Pt）と接合したデバイスを用...
0403電子応用 反強磁性体を用いたトンネル磁気抵抗効果の理論予測 ～次世代高密度・超高速磁気メモリーの開発に貢献～
2026-04-17 東京大学,JSR株式会社,京都大学,東京都立大学,東北大学,理化学研究所,科学技術振興機構本研究は、東京大学などの研究グループが、ノンコリニア反強磁性体を用いた磁気トンネル接合（MTJ）において、大きなトンネル磁気抵抗...
0403電子応用 ナノサイズの「磁気の渦」の正体を解明 ― 次世代・超省電力メモリ実現へ新たな設計指針 ―
2026-04-14 東北大学東北大学と京都産業大学の研究チームは、ナノサイズの磁気渦構造「磁気スキルミオン」が極小サイズで多様な形態をとる原因を解明した。放射光を用いた角度分解光電子分光により、電子状態の変化であるリフシッツ転移がスキルミ...
0403電子応用 スピン‐フォノン結合が長距離磁気秩序なしで観測（Spin-Phonon Coupling Observed Without Long-Range Magnetic Order）
2026-04-09 合肥物質科学研究院（HFIPS）中国科学院合肥物質科学研究院（HMFL）の盛志高教授らは、長距離磁気秩序がない状態でも強いスピン‐フォノン結合が生じることを初めて直接観測し、「Physical Review B」に報告...
0403電子応用 電圧駆動による安定な磁気情報書き込みの新技術を開発 －超低消費電力な不揮発性メモリーMRAMの実現へ－
2026-04-03 産業技術総合研究所産業技術総合研究所（産総研）は、電圧によって磁気情報を書き込む新手法「電圧誘起スタティック磁化反転法」を開発し、次世代不揮発性メモリーMRAMの低消費電力化と高安定化を実現した。人工反強磁性体構造を用...
1701物理及び化学 反強磁性体の隠れた磁気構造を原子分解能で解明（Atomic-resolution Electron Magnetic Circular Dichroism Unveils Hidden Magnetic Structures in Antiferromagnets）
2026-03-26 合肥物質科学研究院（HFIPS）中国科学院合肥物質科学研究院・強磁場科学中心を中心とする国際共同研究チームは、反強磁性体の磁気構造を原子レベルで可視化する新しい電子磁気円二色性（EMCD）法を開発した。収差補正透過型電...