スピントロニクス

粘菌コンピュータの新しい数理モデルを発見 ~粘菌を模倣した省エネルギー情報処理技術の実装に大きな前進~ 1504数理・情報

粘菌コンピュータの新しい数理モデルを発見 ~粘菌を模倣した省エネルギー情報処理技術の実装に大きな前進~

2026-06-16 早稲田大学早稲田大学の研究グループは、単細胞生物である粘菌の分散型情報処理を模倣した「粘菌コンピュータ」の新たな数理モデルを開発した。従来モデルでは、粘菌が体積を一定に保ちながら変形する制約や複雑な条件分岐が存在し、物...
交替磁性体でスイッチ可能なカイラルマグノンを観測 0403電子応用

交替磁性体でスイッチ可能なカイラルマグノンを観測

2026-06-16 東京大学,高エネルギー加速器研究機構東京大学と高エネルギー加速器研究機構(KEK)の国際共同研究チームは、新しい磁性材料「交替磁性体(Altermagnet)」で、右回り・左回りのカイラリティを持つマグノン(スピン波)...
トポロジカルマグノンの熱に対する耐性を初めて理論的に実証 ~次世代超低消費電力スピントロニクス材料の設計指針~ 1701物理及び化学

トポロジカルマグノンの熱に対する耐性を初めて理論的に実証 ~次世代超低消費電力スピントロニクス材料の設計指針~

2026-06-12 早稲田大学早稲田大学とドイツ・ミュンスター大学、ミュンヘン工科大学の共同研究グループは、磁性体中の量子励起である「トポロジカルマグノン」が有限温度下でどの程度安定に存在できるかを世界で初めて定量的に解明した。◆研究では...
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世界初、半導体集積スピントロニクスPビット実証 ―日米の共同研究で確率論的コンピューター開発に新しい景色― 0403電子応用

世界初、半導体集積スピントロニクスPビット実証 ―日米の共同研究で確率論的コンピューター開発に新しい景色―

2026-06-02 東北大学東北大学と米国国立標準技術研究所(NIST)の共同研究チームは、スピントロニクスを利用した確率論的コンピューター(Pコンピューター)の基本構成要素である「Pビット」を、世界で初めて半導体集積回路上に実装し、その...
層状半導体への“キラリティ”の電気化学的書き込みに成功 −キラリティを介したスピン偏極の可逆スイッチングを実証− 0403電子応用

層状半導体への“キラリティ”の電気化学的書き込みに成功 −キラリティを介したスピン偏極の可逆スイッチングを実証−

2026-06-02 東京科学大学東京科学大学の黄柏融助教、谷口耕治教授らの研究チームは、層状半導体である二硫化モリブデン(MoS₂)の層間にキラル分子イオンを電気化学的に可逆挿入・脱離させることで、半導体のキラリティを電気的にON/OFF...
量子センサーで新しい磁性体「アルターマグネット」を検出する手法を提案(Quantum Sensor May Be Able to Identify New Type of Magnetism) 1701物理及び化学

量子センサーで新しい磁性体「アルターマグネット」を検出する手法を提案(Quantum Sensor May Be Able to Identify New Type of Magnetism)

2026-05-29 バッファロー大学(UB)バッファロー大学の研究チームは、近年発見された新しい磁性状態「アルターマグネティズム(altermagnetism)」を検出するための量子センシング手法を提案した。アルターマグネティズムは、強磁...
反強磁性体における巨大な磁気光学効果の実証に成功 ―非自明なスピン配列による新機構、磁気情報の読み出し方法として期待― 0403電子応用

反強磁性体における巨大な磁気光学効果の実証に成功 ―非自明なスピン配列による新機構、磁気情報の読み出し方法として期待―

2026-05-27 東京大学東京大学、理化学研究所などの共同研究チームは、磁化を持たない反強磁性体において、巨大な「トポロジカル磁気光学効果」を実証することに成功した。研究成果は『Nature Communications』に掲載された。...
超高速・超低省電力で動作する不揮発量子スイッチング素子 ―40ピコ秒動作、次世代コンピュータ・データセンター省エネへ― 0403電子応用

超高速・超低省電力で動作する不揮発量子スイッチング素子 ―40ピコ秒動作、次世代コンピュータ・データセンター省エネへ―

2026-05-15 東京大学東京大学と理化学研究所などの研究グループは、反強磁性体Mn3Snを用いた超高速・超低消費電力の不揮発量子スイッチング素子を開発した。研究成果は『Science』に掲載された。従来のCPUやGPUでは高速化に伴い...
閃光で一瞬!スピンデバイスを作る ―ミリ秒光パルス照射で、磁気メモリ・センサの熱処理を約1.7秒で完了― 0403電子応用

閃光で一瞬!スピンデバイスを作る ―ミリ秒光パルス照射で、磁気メモリ・センサの熱処理を約1.7秒で完了―

2026-05-12 大阪大学大阪大学産業科学研究所の今井亜希子助教、千葉大地教授らの研究グループは、磁気メモリ(MRAM)や磁気センサに使われる磁気トンネル接合(MTJ)の超高速熱処理技術を開発した。研究成果は2026年にnpj spin...
生命のキラリティを共有する次世代半導体の実用性向上(Next-gen semiconductors that share life’s handedness just got more practical) 0403電子応用

生命のキラリティを共有する次世代半導体の実用性向上(Next-gen semiconductors that share life’s handedness just got more practical)

2026-04-27 バッファロー大学(UB)バッファロー大学の研究チームは、生体分子と同様の「キラリティ(左右性)」を持つ次世代半導体材料の実用化に向けた新手法を開発した。従来、この種の半導体は合成が難しく安定性や効率に課題があったが、本...
次世代絶縁性量子材料から電気信号の抽出に成功 ― トポロジカル量子コンピューターの核心「量子スピン液体」の制御へ前進 ― 0403電子応用

次世代絶縁性量子材料から電気信号の抽出に成功 ― トポロジカル量子コンピューターの核心「量子スピン液体」の制御へ前進 ―

2026-04-23 東北大学東北大学と東京大学などの研究チームは、量子スピン液体候補物質であるα-RuCl₃からスピン情報を電気信号として検出することに成功した。従来、絶縁体であるため測定が困難だったが、白金(Pt)と接合したデバイスを用...
反強磁性体を用いたトンネル磁気抵抗効果の理論予測 ~次世代高密度・超高速磁気メモリーの開発に貢献~ 0403電子応用

反強磁性体を用いたトンネル磁気抵抗効果の理論予測 ~次世代高密度・超高速磁気メモリーの開発に貢献~

2026-04-17 東京大学,JSR株式会社,京都大学,東京都立大学,東北大学,理化学研究所,科学技術振興機構本研究は、東京大学などの研究グループが、ノンコリニア反強磁性体を用いた磁気トンネル接合(MTJ)において、大きなトンネル磁気抵抗...
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