スピントロニクス

カゴメ反強磁性体Mn3Geにおいて異常に強いマグノン-フォノン結合を直接実証（IBS Researchers Directly Demonstrate Unusually Strong Magnon-Phonon Coupling in Kagome Antiferromagnet Mn3Ge）

カゴメ反強磁性体Mn3Geにおいて異常に強いマグノン-フォノン結合を直接実証（IBS Researchers Directly Demonstrate Unusually Strong Magnon-Phonon Coupling in Kagome Antiferromagnet Mn3Ge）

2025-09-22 韓国基礎科学研究院（IBS）韓国・基礎科学研究院（IBS）などの国際研究チームは、カゴメ格子反強磁性体Mn₃Geにおいて、極めて強いマグノン–フォノン結合を直接実証しました。Mn₃Geは単純な結晶構造を持つため、理論予...

0403電子応用

世界初、室温における二次元層状磁石の電気的磁気制御～層状物質の隙間を電気的に精密制御し、二次元磁石の磁気特性を効率的に操作～

世界初、室温における二次元層状磁石の電気的磁気制御～層状物質の隙間を電気的に精密制御し、二次元磁石の磁気特性を効率的に操作～

2025-08-29 九州大学九州大学理学研究院の飯森陸助教・木村崇教授らの研究グループは、二次元層状磁石の磁気特性を室温で電気的に制御することに世界で初めて成功しました。研究チームは強磁性体 Fe₃GaTe₂ 薄膜を強誘電体基板（PMN-...

0403電子応用

「スピン半導体」の動作速度の限界を超える新発見～反強磁性体の従来磁石材料に対する工学的優位性を世界で初めて実証～

「スピン半導体」の動作速度の限界を超える新発見～反強磁性体の従来磁石材料に対する工学的優位性を世界で初めて実証～

2025-08-22 東北大学東北大学・物質・材料研究機構・日本原子力研究開発機構の研究チームは、カイラル反強磁性体Mn₃Snを用いて、スピン半導体の動作速度における「反強磁性体の強磁性体に対する工学的優位性」を世界で初めて実証しました。従...

0403電子応用

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欠陥を利用してスピントロニクスデバイスを改良する方法を解明（Researchers Show How to Use Defects to Improve Spintronic Devices）

欠陥を利用してスピントロニクスデバイスを改良する方法を解明（Researchers Show How to Use Defects to Improve Spintronic Devices）

2025-08-15 中国科学院(CAS)中国科学院NIMTEの研究チームは、スピントロニクスで問題視されてきた材料欠陥を資源化。SrRuO3を用いた軌道ホール効果の精密計測で、欠陥導入により軌道ホール伝導度とホール角が同時に向上する非従来...

0403電子応用

次世代スピントロニクスの道を拓く反強磁性トンネル接合（Interface-controlled Antiferromagnetic Tunnel Junctions Offer New Path for Next-generation Spintronics）

次世代スピントロニクスの道を拓く反強磁性トンネル接合（Interface-controlled Antiferromagnetic Tunnel Junctions Offer New Path for Next-generation Spintronics）

2025-07-29 中国科学院(CAS)中国科学院の邵定富教授らは、反強磁性金属の界面効果を活用し、強いスピン分極を実現する新型トンネル接合（AFMTJ）を提案した。従来はバルク特性に依存していたが、本研究ではFe₄GeTe₂と絶縁体BN...

0403電子応用

UCアーバインの研究者、量子物質の新しい状態を発見（UC Irvine scientists discover new state of quantum matter）

UCアーバインの研究者、量子物質の新しい状態を発見（UC Irvine scientists discover new state of quantum matter）

2025-07-30 カリフォルニア大学校アーバイン校(UCI)カリフォルニア大学アーバイン校の研究チームは、ハフニウム・ペンテラルロライド内において、理論的に予測されていた新しい量子物質相「スピントリプレット励起子凝縮液」を実験的に発見し...

1700応用理学一般

量子センサーで“見えない磁石”の構造を解明～八極子磁壁の正体に迫る～

量子センサーで“見えない磁石”の構造を解明～八極子磁壁の正体に迫る～

2025-07-18 東京大学東大を中心とした日欧連携チームは、反強磁性体Mn₃Sn薄膜において“見えない磁気八極子”が形成する磁壁の構造を、ナノスケールのダイヤモンド量子センサで初めて実空間観測しました。高品質薄膜と高精度磁場測定・解析に...

0403電子応用

室温にて強相関電子材料の電流方向依存の抵抗変化を発見～キラル磁性体における非相反電荷輸送の包括的理解～

室温にて強相関電子材料の電流方向依存の抵抗変化を発見～キラル磁性体における非相反電荷輸送の包括的理解～

2025-07-05 理化学研究所,早稲田大学,科学技術振興機構,住友化学株式会社理化学研究所、早稲田大学、JST、住友化学による共同研究で、キラル磁性体Co₈Zn₉Mn₃において、室温で電流の向きによって抵抗が変わる「非相反電荷輸送現象」...

0403電子応用

スピントロニクス用量子回路へのブレイクスルー（Breakthrough in spintronic devices for ultra-thin quantum circuits）

スピントロニクス用量子回路へのブレイクスルー（Breakthrough in spintronic devices for ultra-thin quantum circuits）

2025-06-24 オランダ・デルフト工科大学（TU Delft）Artist’s impression of the quantum spin Hall effect in a graphene-based spintronic dev...

0403電子応用

★ 2025年最新！スピントロニクス技術トレンド分析

★ 2025年最新！スピントロニクス技術トレンド分析

【概要】2025年の最新研究結果により、スピントロニクス分野は「実用化」への歩みを大きく進めています。本記事は、8件の最新研究情報を精寄に分析し、技術のトレンド、課題、今後の方向性を総合的に描きます。【スピントロニクス技術の概要と必要性】ス...

1700応用理学一般

ワイル反強磁性体による交換バイアスの室温制御に成功～新奇な磁気秩序を活かした機能設計が導く、スピントロニクス技術の新展開～

ワイル反強磁性体による交換バイアスの室温制御に成功～新奇な磁気秩序を活かした機能設計が導く、スピントロニクス技術の新展開～

2025-06-17 東京大学東京大学の研究チームは、ワイル反強磁性体Mn₃Snと強磁性体を積層した構造において、従来は冷却と磁場が必要だった交換バイアス効果を、室温かつ磁場印加のみで制御する手法を開発しました。これにより、交換バイアスの符...

0403電子応用

2次元強磁性体の超高速スピンダイナミクスを磁場で制御（Scientists Uncover Magnetic-field Control of Ultrafast Spin Dynamics in 2D Ferromagnets）

2次元強磁性体の超高速スピンダイナミクスを磁場で制御（Scientists Uncover Magnetic-field Control of Ultrafast Spin Dynamics in 2D Ferromagnets）

2025-06-10 中国科学院(CAS)Magnetic control acceleration effect of ultrafast demagnetization in 2D magnet FGT. (Image by WANG ...

1701物理及び化学

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