超高速・省エネルギー強誘電体メモリを半導体製造プロセスに統合（Ferroelectric Memory—Fast, Energy-Efficient Data Storage）

ドイツのフラウンホーファー光電子マイクロシステム研究所（IPMS）は、半導体大手GlobalFoundriesと共同で、酸化ハフニウム（HfO₂）を利用した強誘電体RAM（FRAM）を既存の半導体量産プロセスへ統合することに成功した。
◆強誘電体メモリは、電源を切ってもデータを保持できる不揮発性と、高速動作・低消費電力を兼ね備える次世代メモリ技術として注目されている。今回の成果では、既存CMOS製造技術との高い互換性を維持しながら超高速FRAMを実現し、従来メモリに比べてデータ処理の高速化と省エネルギー化を可能にした。さらに、メモリと演算を近接させることで、AIやエッジコンピューティングで問題となるデータ転送による消費電力や遅延の低減も期待される。
◆本技術は、将来の低消費電力プロセッサや組込みシステム、AI向け計算アーキテクチャの基盤となる可能性を持つ。研究成果は、産学連携による優れた研究として「Stifterverband Science Prize Forschung im Verbund」を受賞した。