強誘電体メモリFRAM

超高速・省エネルギー強誘電体メモリを半導体製造プロセスに統合（Ferroelectric Memory—Fast, Energy-Efficient Data Storage）

2026-06-10 フラウンホーファー研究機構ドイツのフラウンホーファー光電子マイクロシステム研究所（IPMS）は、半導体大手GlobalFoundriesと共同で、酸化ハフニウム（HfO₂）を利用した強誘電体RAM（FRAM）を既存の半...

2026-06-11

0403電子応用