0403電子応用

超微弱な光を検出する皮膚のようにストレッチャブルでソフトな半導体(Soft Semiconductors that Stretch Like Human Skin Can Detect Ultra-low Light Levels) 0403電子応用

超微弱な光を検出する皮膚のようにストレッチャブルでソフトな半導体(Soft Semiconductors that Stretch Like Human Skin Can Detect Ultra-low Light Levels)

人間の皮膚のような伸縮性と柔軟性を持つ半導体材料による、高感度有機フォトダイオードを開発。屋内照明の電球光の約 1 億分の 1 レベルの極微弱光の検出に必要な電気性能の半導体に伸縮性を付与。光照射で電気を発生する柔軟な材料開発に最も適合した化合物の組合せを同定し、エラストマー、ドナーの合成ポリマーとアクセプター分子のバルクヘテロ接合によるフォトダイオードを作製した。
2022-02-20
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高感度・広帯域計測が可能な低消費電力磁気センサーを開発 0403電子応用

高感度・広帯域計測が可能な低消費電力磁気センサーを開発

愛知製鋼開発の磁気インピーダンス素子「MI素子」に向けた計測用の 特定用途向け集積回路「ASIC」を独自設計し、低ノイズ、広帯域な磁気センサーを開発した。本ASICは、従来のフラックスゲート型磁気センサーと比較して、消費電力や磁場の検出性能も含めた指標である正規化エネルギーは1000倍改善された。正規化エネルギーの低い集積化フラックスゲート型磁気センサーと比較して1/100の低ノイズ化を達成した。
2022-02-19
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弱い磁場で生成・制御可能な磁気渦を “トポロジカル原子層サンドイッチ構造”で発見 0403電子応用

弱い磁場で生成・制御可能な磁気渦を “トポロジカル原子層サンドイッチ構造”で発見

スピンを持つマンガン原子が規則的に密に並んだ単一原子層を含むトポロジカル強磁性体Mn(Bi,Sb)2Te4を使って、トポロジカル絶縁体(Bi,Sb)2Te3原子層の上下を挟んだ“原子層サンドイッチ構造”を作製し、その電気伝導を測定しました。これまでの1/10程度の弱い磁場でトポロジカルホール効果観測され、ミクロな磁気渦（スキルミオン）が形成されていることを発見しました。
2022-01-28
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フッ化物を用いた磁気メモリー素子により情報の記録保持特性を改善~脳型コンピューティング用メモリーへの適用に期待 0403電子応用

フッ化物を用いた磁気メモリー素子により情報の記録保持特性を改善~脳型コンピューティング用メモリーへの適用に期待

フッ化リチウム(LiF)と酸化マグネシウム(MgO)を組み合わせたトンネル障壁層を用いた新構造の磁気トンネル接合素子「MTJ素子」を開発し、磁気メモリー(MRAM)の記録保持特性の指標となる垂直磁気異方性の改善に成功した。
2022-01-28
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脳波を追跡して認知症を特定する量子ブレインセンサー 0403電子応用

脳波を追跡して認知症を特定する量子ブレインセンサー

高感度の量子脳センサーを開発。ニューロン（神経細胞）の発火時に生成される磁場を検出し、脳の経時的な変化を測定して脳内で移動する電気信号の速度（バイオマーカー）を追跡。
2022-01-22
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シリコン量子ビットで高精度なユニバーサル操作を実現～誤り耐性シリコン量子コンピュータの実現に指針～ 0403電子応用

シリコン量子ビットで高精度なユニバーサル操作を実現～誤り耐性シリコン量子コンピュータの実現に指針～

シリコン量子ドットデバイス中の電子スピンを用いて、高精度なユニバーサル操作を実証しました。シリコン量子ドットを用いた量子コンピュータの実現における課題の一つである「量子誤り訂正」の実行に指針を与えるもので、今後の研究開発を加速させるものと期待できます。
2022-01-20
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ダイヤモンドで高移動度トランジスタを実現~必須と考えられてきたアクセプタはむしろ邪魔? 従来と逆の発想で高特性化~ 0403電子応用

ダイヤモンドで高移動度トランジスタを実現~必須と考えられてきたアクセプタはむしろ邪魔? 従来と逆の発想で高特性化~

ダイヤモンド電界効果トランジスタを新しい設計指針に基づいて作製し、高い正孔移動度 (低損失・高速動作のために重要) とノーマリオフ動作 (ゲート電圧をかけないときに電流が流れない動作 ; 安全の観点から重要) を示すことを実証しました。
2022-01-18
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世界初、アンペア級・1200V耐圧の「酸化ガリウムショットキーバリアダイオード」を開発 0403電子応用

世界初、アンペア級・1200V耐圧の「酸化ガリウムショットキーバリアダイオード」を開発

アンペア級・1200V耐圧の「酸化ガリウムショットキーバリアダイオード（SBD）」を開発しました。パワーエレクトロニクスの低価格化や高性能化につながる、1200V耐圧の酸化ガリウムSBDの製品化が大きく前進することになります。また、太陽光発電向けパワーコンバータ、産業用汎用インバーターや電源などのパワーエレクトロニクス機器の効率向上や小型化により、自動車の電動化や空飛ぶ車などの電気エネルギーの効率利用への貢献にも期待ができます。
2021-12-24
0403電子応用
秩序と乱れが共存した高性能な液晶性有機半導体を開発~電子回折により液晶が凍結した分子配列構造を確認~ 0403電子応用

秩序と乱れが共存した高性能な液晶性有機半導体を開発~電子回折により液晶が凍結した分子配列構造を確認~

分子配列の秩序と乱れが共存した高性能な液晶性有機半導体を開発し、その極薄膜が液晶凍結状態であることを、クライオ電子顕微鏡を用いた電子線結晶構造解析により捉えることに成功しました。
2021-12-23
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荷電処理不要のエレクトレット型ＭＥＭＳ環境振動発電素子を開発 ～無線ＩｏＴ端末の自立電源として期待～ 0403電子応用

荷電処理不要のエレクトレット型ＭＥＭＳ環境振動発電素子を開発 ～無線ＩｏＴ端末の自立電源として期待～

荷電処理が一切不要の自己組織化エレクトレット（ＳＡＥ）をマイクロ機械構造に集積したエレクトレット型ＭＥＭＳ環境振動発電素子の開発に成功しました。これまで未踏であったエレクトレット型ＭＥＭＳ環境振動発電素子と電子回路のモノリシック集積化（ワンチップ化）が可能になります。エネルギーハーベスティング技術のキーテクノロジーであるＭＥＭＳ環境振動発電素子の小型化・高性能化・生産性向上がより加速し、電池・配線・利用環境フリーの次世代自立電源として無線ＩｏＴ端末などへの導入が期待されます。
2021-12-20
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オングストローム世代半導体製造技術での 磁気抵抗メモリー基盤技術を確立 0403電子応用

オングストローム世代半導体製造技術での 磁気抵抗メモリー基盤技術を確立

高速書き込み動作を特徴づける時定数を制御できる磁気トンネル接合（ＭＴＪ）（ＳＴＴ－ＭＲＡＭの情報記憶素子）の構造を提案し、５ナノメートル以下の直径を持つＭＴＪ素子で３．５ナノ秒までの高速書き込み動作を実証しました。これは、ＳＴＴ－ＭＲＡＭが将来のオングストローム世代半導体製造技術でのＳＲＡＭや高速ＤＲＡＭの代替として使えることを示す重要な成果です。
2021-12-14
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GaNとSiCを一体化したハイブリッド型トランジスタを世界で初めて動作実証 0403電子応用

GaNとSiCを一体化したハイブリッド型トランジスタを世界で初めて動作実証

ワイドバンドギャップ半導体である窒化ガリウム（GaN）を用いた高電子移動度トランジスタと炭化ケイ素（SiC）を用いたPNダイオードの両者をモノリシックに一体化した、ハイブリッド型トランジスタの作製および動作実証に世界で初めて成功した。GaNとSiCのデバイス試作を両立できる独自の一貫製造プロセスラインの構築によって、ハイブリッド型トランジスタの実現に至った。試作したハイブリッド型トランジスタは、GaNの特長である低いオン抵抗およびSiCダイオードで実績のある非破壊降伏の両立を実現した。
2021-12-12
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