0403電子応用 パワー半導体「xEV用SiC-MOSFETチップ」サンプル提供開始 標準仕様のチップを初めて市場に供給し、xEVの普及と航続距離延伸や電費改善に貢献
2024-11-12 三菱電機株式会社xEV用SiC-MOSFETを製造したウエハ（左）とサンプル提供を開始するチップ（右）（イメージ）三菱電機株式会社は、電気自動車（EV）やプライグインハイブリッド車（PHEV）などの電動車（以下、xEV...
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0403電子応用 ナノスケールのトランジスタは、より効率的なエレクトロニクスを可能にする可能性がある(Nanoscale transistors could enable more efficient electronics)
2024-11-04 マサチューセッツ工科大学(MIT)MITの研究者は、従来のシリコン技術の限界を超えるため、超薄型半導体材料を用いた新しい3Dトランジスタを開発しました。これらのトランジスタは、数ナノメートル幅の垂直ナノワイヤー構造を持...
0403電子応用 圧電素子内蔵の高品質ナノメカニカル共振器(High-quality nanomechanical resonators with built-in piezoelectricity)
2024-11-05 チャルマース工科大学スウェーデンのチャルマース工科大学とドイツのマクデブルク大学の研究者は、高い機械的品質と圧電性を兼ね備えた新しいナノメカニカル共振器を開発しました。この共振器は、引張応力を持つ窒化アルミニウム（Al...
0403電子応用 より高速なコンピューターチップの実現を導く電気で変調する光アンテナ (Electrically Modulated Light Antenna Points the Way to Faster Computer Chips)
2024-09-09 ドイツ連邦共和国・ユリウス・マクシミリアン大学ヴュルツブルク(JMU)・ JMU と南デンマーク大学(SDU)が、電気による変調の制御が可能なプラズモンナノ共振器を開発。・ 現在のコンピューターの速度は物理的な限界に達...
0403電子応用 NRELが支援する研究努力は、遠くからハロゲン化物ペロブスカイトをねじる(NREL-Backed Research Effort Twists Halide Perovskites From a Distance)
2024-10-24 米国国立再生可能エネルギー研究所(NREL)米国エネルギー省のNRELとCHOISEが率いる研究チームが、新しいハライドペロブスカイト半導体のキラリティー制御技術を開発しました。この技術では、特定のキラル分子が表面から...
0403電子応用 レーストラックメモリのビットエラー率決定に成功～ビット操作のエラー率を決定する評価手法を確立～
2024-10-24 東京大学発表のポイント ストレージクラスの次世代磁気メモリとして実用化が期待されているレーストラックメモリにおいて、ビット操作のエラー率を決定する新たな性能評価手法を確立した。 ビットエラー率は調査した範囲においてビッ...
0403電子応用 光パルスによって刺激される物質が、よりエネルギー効率の高いスーパーコンピューティングへの飛躍となる可能性(Material stimulated by light pulses could be leap toward more energy-efficient supercomputing)
2024-10-16 アルゴンヌ国立研究所(ANL)研究者たちは、フェリ電気材料（フェロエレクトリック材料）が光パルスに適応する性質を発見し、これがニューラルネットワークの可塑性に似ていることを報告しました。この適応的な反応は、エネルギー効...
0403電子応用 原子レベルでペロブスカイト材料をエンジニアリングすることで、新しいレーザーやLEDへの道が開ける(Engineering Perovskite Materials at the Atomic Level Paves Way for New Lasers, LEDs)
2024-10-11 ノースカロライナ州立大学(NCState)研究者は、層状ハイブリッドペロブスカイト（LHP）を原子レベルで設計する技術を開発し、LEDやレーザーなど次世代デバイス向けの材料を作り出すことに成功しました。この技術では、量...
0403電子応用 大容量MRAMを搭載したエッジ領域向け「CMOS／スピントロニクス融合AI半導体」により従来比10倍以上の電力効率をシステム動作シミュレーションで確認
2024-10-11 新エネルギー・産業技術総合開発機構,東北大学,株式会社アイシンNEDOは「省エネAI半導体及びシステムに関する技術開発事業」（以下、本事業）において、エッジ領域に適した半導体デバイスの早期実現を目指して、開発を進めてい...
0403電子応用 2つの半導体材料の界面を移動する光励起電荷を世界で初めて可視化した(Researchers create the first ever visualization of photoexcited charges traveling across the interface of two semiconductor materials)
2024-10-10 カリフォルニア大学サンタバーバラ校(UCSB)カリフォルニア大学サンタバーバラ校の研究者たちは、異なる半導体材料の界面を通過する電荷の移動を初めて直接可視化することに成功しました。この研究では、超高速電子顕微鏡（SUE...
0403電子応用 シリコンフォトニクス技術で多彩な光センサーを実現する超小型光集積回路チップを開発～ さまざまな社会インフラに適用できるGXのキー技術として活用～
2024-10-09 沖電気工業株式会社OKIは、光回路の半導体であるシリコンフォトニクス技術を用いて、光ファイバーセンサー、レーザー振動計、光バイオセンサーなど、多様な用途に適用可能な超小型光集積回路チップの開発に成功しました。これにより...
0403電子応用 未来の技術のための欠陥を探求：次世代コンピューターチップ材料候補の理解を深める新研究 (Detecting defects in tomorrow’s technology: New research enhances our understanding of a likely candidate for next-generation computer chips )
2024-07-09 ｱﾒﾘｶ合衆国・プリンストンプラズマ物理学研究所(PPPL) PPPL とデラウェア大学が、コンピューターチップに使用されているシリコンの代替が期待される二次元材料の遷移金属ジカルコゲニド(TMD)について、その原子構...