0403電子応用 遷移金属ニオブを含む極性ウルツ鉱型窒化物半導体「NbAlN」の作製に成功 ~GaN系ヘテロ構造の界面電子密度を3倍超に高め、分極を生かした材料設計を拡張~
2026-09-07 東京理科大学,東京大学,三重大学東京理科大学、東京大学、三重大学の研究グループは、遷移金属ニオブ(Nb)を含む極性ウルツ鉱型窒化物半導体「NbAlN」の単結晶エピタキシャル薄膜を、GaN上に作製することに初めて成功した...
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