新しいパワー半導体材料ルチル型GeO₂系混晶半導体の開発とバンドギャップ制御

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2022-09-09 京都大学

材料化学専攻の高根倫史 博士課程学生、若松岳 同修士課程学生、田中勝久 同教授、立命館大学 金子健太郎 教授(研究当時、京都大学工学研究科 講師)、東京都立産業技術研究センター 太田優一 副主任研究員、立命館大学 荒木努 教授らの研究チームは、次世代パワー半導体材料として注目されているルチル型GeO2(r-GeO2)を中心としたルチル型酸化物半導体混晶系(GeO2-SnO2-SiO2)を新たに提案するとともに、実験と計算の両面からの本系の有用性を実証しました。

本研究成果は、2022年8月26日(現地時刻)に米国物理学会の国際学術誌「Physical Review Materials」にオンライン掲載されました。


ルチル型酸化物混晶系(GeO2-SnO2-SiO2)の結晶構造と結晶における電子の移動についてのイメージ図

詳しい研究内容≫

研究者情報

田中勝久

論文情報

【タイトル】
Band-gap engineering of rutile-structured SnO2-GeO2-SiO2 alloy system
(ルチル型構造をもつSnO2-GeO2-SiO2混晶系におけるバンドギャップ制御)

【著者】
Hitoshi Takane, Yuichi Ota, Takeru Wakamatsu, Tsutomu Araki, Katsuhisa  Tanaka, and Kentaro Kaneko

【掲載誌】Physical Review Materials
【DOI】10.1103/PhysRevMaterials.6.084604

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