新しいアナログメモリがスマート機器をさらに高性能化する可能性(New Analog Memory May Make Smart Devices Even Smarter)

2026-09-09 サンディア国立研究所(SNL)

サンディア国立研究所の研究チームは、従来の0/1のデジタルメモリとは異なり、連続的なアナログ値を記憶できる「ETCRAM(電気・熱・化学ランダムアクセスメモリ)」を開発した。タンタル酸化物とバナジウム酸化物を用い、電気パルスによる局所加熱で材料の状態を変化させ、多数の異なる値を高精度に記録する。既存の最先端アナログメモリに比べて精度は約100倍、ダイナミックレンジは少なくとも3桁大きいとされ、演算をメモリ近傍で実行することで消費電力の低減が期待される。特に、センサーで取得したデータをクラウドや中央プロセッサへ送る前に処理するエッジ/ニアセンサーコンピューティングへの応用が想定される。電池材料の電気化学的特性を応用しつつ、自己発熱によって反応速度を高めた点が技術上の特徴である。

新しいアナログメモリがスマート機器をさらに高性能化する可能性(New Analog Memory May Make Smart Devices Even Smarter)
The team responsible for developing ETCRAM is now working to test designs with multiple materials to further improve the technology. (Photo by Ruth Frank)

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0403電子応用
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