0403電子応用 プラスチックに数層の分子配向膜を形成
～基板を選ばず分子配向膜を形成できるため、フレキシブルエレクトロニクスへの応用に期待～ 平成２９年１２月１９日 東京大学・東京工業大学・科学技術振興機構（ＪＳＴ）・理化学研究所・大阪大学 ・従来の技術では困難であったプラスチックなどのさまざ...
0403電子応用
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0403電子応用 4次元X線CT技術開発を基にした医療機器
放医研の4次元X線CT技術開発を基にした医療機器が日本医療研究開発大賞を受賞 2017/12/14 国立研究開発法人量子科学技術研究開発機構（理事長 平野俊夫。以下「量研」という。）放射線医学総合研究所で、2000年代前半に高度画像診断技術...
0400電気電子一般 高性能強誘電体に潜むフラクタル性を解明
光・放射光X線・電子線を駆使して高性能強誘電体に潜むフラクタル性を解明 2017/12/13 島根大学,量子科学技術研究開発機構,岐阜大学,大阪府立大学,筑波大学,関西学院大学 発表のポイント ●高性能強誘電体に潜む法則性（フラクタル性）を...
0403電子応用 高効率な電圧スピン制御：磁気メモリー用材料を開発
～低消費電力の電圧制御型磁気メモリーの実用化に前進～ 国立研究開発法人 産業技術総合研究所【理事長 中鉢 良治】（以下「産総研」という）スピントロニクス研究センター【研究センター長 湯浅 新治】電圧スピントロニクスチーム 野﨑 隆行 研究チ...
0403電子応用 1200ボルトクラスのショットキーバリアダイオード内蔵SiCトランジスタを開発
発表・掲載日：2017/12/05 1200ボルトクラスのショットキーバリアダイオード内蔵SiCトランジスタを開発 －ハイブリッド車(HEV)/電気自動車(EV)向けの高効率・高信頼パワーモジュール実現へ－ ポイント 1200 V耐圧クラス...
0403電子応用 磁壁におけるトポロジカル電流を観測
～省エネルギースピントロニクスデバイスの基礎原理を実証～ 平成２９年１２月８日 理化学研究所 東京大学 東北大学 金属材料研究所 科学技術振興機構（ＪＳＴ）
0403電子応用 『デジ蔵 ShAirDisk』に認証不備の脆弱性
ワイヤレスモバイルストレージ「『デジ蔵 ShAirDisk』PTW-WMS1」における認証不備の脆弱性について(JVN#98295787)
0403電子応用 垂れ幕にも動画、デジタルサイネージの新時代へ
高性能有機半導体でＬＥＤディスプレイのアクティブ駆動に成功 平成２９年１２月８日 科学技術振興機構（ＪＳＴ） パイクリスタル株式会社 株式会社オルガノサーキット 詳しくは、こちら
0403電子応用 新構造トランジスターを開発
平成２９年１２月４日 科学技術振興機構（ＪＳＴ）,東京大学 超低消費電力ＬＳＩを可能にする新構造トランジスターを開発 ～量子トンネル効果を駆使、ＩｏＴの電池寿命を大幅に延長～ ポイント 極めて小さな消費電力で動作するトンネル電界効果トラン...