0403電子応用

希少な電子の研究：複雑な酸化物薄膜中の低濃度の電子を研究する方法を新研究が実証(Studying Scarce Electrons：New research demonstrates how to study low concentrations of electrons in complex oxide films)

2024-01-24 パシフィック・ノースウェスト国立研究所(PNNL) ◆最新の研究では、半導体内の微量ドーパントにより引き起こされる複雑な電子挙動を理解するため、X線ベースの共鳴フォトエミッション分光法が使用されました。 ◆通常のフォト...

2024-01-25

0403電子応用

有機半導体を作る新しい持続可能な方法(New sustainable method for creating organic semiconductors)

2024-01-22 リンショーピング大学 ◆リンシェーピング大学の研究者は、有機エレクトロニクス（太陽電池、人工ニューロン、柔らかいセンサーなど）に使用される導電インクの製造において、環境に優しい新しい手法を開発しました。 ◆この研究は、...

2024-01-23

0403電子応用

TiO₂に格子整合した高品質ルチル型GeₓSn₁ーₓO₂デバイスの動作実証～高耐圧パワーデバイスへの応用～

2024-01-22 京都大学材料化学専攻の高根倫史博士後期課程学生、田中勝久同教授、物質・材料研究機構大島孝仁主任研究員、原田尚之同独立研究者、立命館大学総合科学技術研究機構金子健太郎教授・RARAフェロー／Patenti...

2024-01-22

0403電子応用

自己発電センサーが自動的に磁気エネルギーを収集(Self-powered sensor automatically harvests magnetic energy)

2024-01-18 マサチューセッツ工科大学(MIT) ◆MITの研究者は、環境からエネルギーを収穫できるバッテリーフリーで自己駆動のセンサーを開発しました。このセンサーは充電や交換の必要がなく、特別な配線も不要なため、船のエンジンなどの...

2024-01-19

0403電子応用

省エネルギーAI チップの開発 (TUM professor develops an energy-saving AI chip)

2023-10-26 ドイツ連邦共和国・ミュンヘン工科大学(TUM) ・ TUM、Bosch およびフラウンホーファー・フォトニック・マイクロシステム研究所(IPMS)が、既存のインメモリーコンピューティングアプローチの 2 倍の性能を有す...

2024-01-12

0403電子応用

BNL ラボにおける極端紫外線リソグラフィーの輝ける未来 (A Bright Future for Extreme UV Lithography at Brookhaven Lab)

2023-11-08 アメリカ合衆国・ブルックヘブン国立研究所(BNL) ・ BNL のユーザー施設 Center for Functional Nanomaterials(CFN)が、極端紫外線(EUV)リソグラフィーによる高性能パターン...

2024-01-12

0403電子応用

ムーアの法則とエレクトロニクスの進化をさらに引き出す次元の統合(Integrating dimensions to get more out of Moore’s Law and advance electronics)

2024-01-10 ペンシルベニア州立大学(PennState) ◆ペンシルバニア州立大学の研究者らは、ムーアの法則による電子デバイスのスケーリング限界を乗り越える手段として、2D材料と3D統合を提案しています。現行のチップ技術では、トラ...

2024-01-11

0403電子応用

サブナノ厚の半導体のみを単離する手法～ランダムに基板上へ剥離された2D半導体を短時間で選別してデバイス作製へと繋ぐ方法～

2024-01-10 東京大学発表のポイント溶媒内で超音波処理を行うことで、わずか1分という短時間でサブナノスケール厚である2次元半導体の単層を基板上に単離させることに成功しました。単層と同時に基板上に転写されてしまう99％の不要なバ...

2024-01-10

0403電子応用

グラフェンから世界初の機能性半導体を開発(Researchers Create First Functional Semiconductor Made From Graphene)

2024-01-03 ジョージア工科大学 ◆ジョージア工科大学の研究者が、グラフェン（最強の結合で構成された炭素原子のシート）からなる世界初の機能的な半導体を開発。シリコンの限界に直面する中、この発見は電子機器の新たな手法の可能性を提示。 ...

2024-01-04

0403電子応用

世界初、垂直ブリッジマン法による6インチβ型酸化ガリウム単結晶の作製に成功～β型酸化ガリウム基板の大口径化・高品質化に貢献～

2023-12-25 産業技術総合研究所（株）ノベルクリスタルテクノロジーは、垂直ブリッジマン（VB）法による6インチβ型酸化ガリウム（β-Ga2O3）単結晶の作製に世界で初めて成功しました。本成果により、β-Ga2O3基板の大口径化・高...

2023-12-25

0403電子応用

原子をランダムに並べた新材料で高性能メモリー素子を実現～低消費電力で超高速の書き込みができる不揮発性メモリーの実用化に大きく前進～

2023-12-22 産業技術総合研究所ポイント不揮発性メモリー(SOT-MRAM)の微細配線に用いる新材料として、アモルファスW-Ta-B合金を開発 SOT-MRAMの実用化のために不可欠な「低い書き込み消費電力」と「優れた耐熱性」を...

2023-12-22

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コンピューター・プロセッサーの高速化につながる全光スイッチを開発(Researchers develop all-optical switches that could lead to faster computer processors)

2023-12-21 アルゴンヌ国立研究所(ANL) ◆アルゴンヌ国立研究所とパデュー大学の研究者は、従来の電子スイッチングの制約によりコンピュータープロセッサのクロック速度がほぼ限界に達している中、光を使用したオールオプティカルスイッチン...

2023-12-22

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