0403電子応用 窒化ガリウム (GaN) に注入した微量元素の分布と電気的状態をナノスケールで可視化
窒化ガリウム (GaN) に注入した微量なマグネシウム (Mg) の分布や電気的状態を、ナノスケールで可視化することに世界で初めて成功した。Mgイオン注入によりGaNがp型半導体に変化するメカニズムの一端が明らかに。
0403電子応用
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0403電子応用 薬品処理と低温加熱だけでダイヤモンド基板の原子レベルの接合を可能に
化学薬品による表面処理でダイヤモンド基板をシリコン基板と直接接合する技術を開発。高温や超高真空プロセスを使わないダイヤモンド基板の原子レベルの直接接合を初めて実現。
0403電子応用 充電中に自己修復して長持ちする電池～原理検証に成功～
電力を蓄えることにより構造を修復する「自己修復能力」を持つ電極材料を発見した。
0403電子応用 超高精度平面回路計測技術により300 GHz帯で印刷配線の性能を評価
新たに超高精度の回路計測技術を開発した。この技術により、印刷技術で作製した高周波伝送線路（コプレーナ導波路）の伝送特性を測定し、今後の社会実装が期待される未開拓周波数領域である300 GHz帯の超高周波領域でも低損失であることを実証した。
0403電子応用 なぜ日本は電子部品製造において比較優位を失ったのか
執筆者 （独）経済産業研究所 Willem THORBECKE (上席研究員) 研究プロジェクト East Asian Production Networks, Trade, Exchange Rates, and Global Imba...
0400電気電子一般 有機トランジスタで超伝導の条件を探る
強相関物質を用いて柔軟な有機トランジスタを作製し、一つの試料で電子の「数」と「動きやすさ」を同時に制御することで、超伝導の発現条件を明らかにした。
0110情報・精密機器 低エネルギー陽電子ビームの寿命測定をデジタル化して実用レベルを達成
機能性薄膜材料の性能の決め手になる分子の通り道（ナノメートルスケール以下のすき間：サブナノ空間）のサイズを精密に評価できる低エネルギー陽電子寿命法のための高速デジタル計測技術を開発した。
0403電子応用 第5世代IGZOを開発 ～モバイルから大型パネルサイズまで全面展開～
開発したIGZO5は、製膜などのプロセス条件の工夫により、液晶パネルの駆動性能を左右する電子移動度を約1.5倍(前世代IGZO比)に向上。大型ディスプレイの駆動用TFTとして一般的なアモルファスシリコンの約30倍の電子移動度を実現した。
0403電子応用 光変調器を超省エネ化し、高速高効率な光トランジスタを実現
フォトニック結晶と呼ばれるナノ構造技術を用いて、世界最小の電気容量を持つ光電変換素子の集積に成功し、世界最小の消費エネルギーで動作するナノ光変調器や、光入力信号を別の光へ変換・増幅出力させる「光トランジスタ」を実現した。
0400電気電子一般 平成30年度未来のあるべき社会・ライフスタイルを創造する技術イノベーション事業の結果について
GaNデバイスに基づく100ワット級マイクロ波源を用いた4チャンネルマイクロ波加熱装置（電子レンジ）を、世界で初めて開発した。
0403電子応用 磁化を持たない反強磁性絶縁体のスピン制御へ向けて
絶縁体のスピン運動量ロッキングの設計 2019-03-26 東京大学 東京大学総合文化研究科の川野雅敬大学院生および堀田知佐准教授は、東北大学金属科学研究所の小野瀬佳文 教授（2018年度まで本学所属）と共同で、固体結晶で数多く見られる...
0403電子応用 ダイヤモンドの単一NVセンタの光電流検出に成功
ダイヤモンド結晶中の電子スピンの状態を、光電流検出という電気的な手法で読み出すことに成功した。