2026-09-09 サンディア国立研究所(SNL)
サンディア国立研究所の研究チームは、従来の0/1のデジタルメモリとは異なり、連続的なアナログ値を記憶できる「ETCRAM(電気・熱・化学ランダムアクセスメモリ)」を開発した。タンタル酸化物とバナジウム酸化物を用い、電気パルスによる局所加熱で材料の状態を変化させ、多数の異なる値を高精度に記録する。既存の最先端アナログメモリに比べて精度は約100倍、ダイナミックレンジは少なくとも3桁大きいとされ、演算をメモリ近傍で実行することで消費電力の低減が期待される。特に、センサーで取得したデータをクラウドや中央プロセッサへ送る前に処理するエッジ/ニアセンサーコンピューティングへの応用が想定される。電池材料の電気化学的特性を応用しつつ、自己発熱によって反応速度を高めた点が技術上の特徴である。

The team responsible for developing ETCRAM is now working to test designs with multiple materials to further improve the technology. (Photo by Ruth Frank)
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