2025-12-11 マサチューセッツ工科大学（MIT）
2025年12月11日、マサチューセッツ工科大学（MIT）の研究チームは、マイクロエレクトロニクスのエネルギー効率を大幅に高める新素材・製造技術を発表した。従来の半導体チップでは、計算処理用トランジスタとデータ保存用メモリが別々に配置され、データのやり取りにエネルギーが浪費されていた。新しい方法では、トランジスタやメモリなどの複数の機能素子を、既存の回路の「バックエンド」に積層することで、データ移動距離を短縮し、消費電力を削減することに成功した。キーとなるのは、アモルファス酸化インジウムなどの新素材で、低温でも高精度に形成できるため、既存素子にダメージを与えずに積層が可能だ。また、バックエンド積層メモリトランジスタはナノスケールの微細構造で高速・低電圧動作を示し、次世代の省エネ電子機器やAI処理向けに有望視される。この手法は、従来のCMOSプロセスを転換し、チップ全体のエネルギー効率を飛躍的に改善する可能性がある。
A new fabrication technique that stacks multiple active components on the back end of a computer chip could significantly boost the energy efficiency of microelectronics.Credit: Christine Daniloff, MIT; iStock
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