熱による高速・高効率な磁極制御、ＭＲＡＭとＡＩハードウェアの低消費電力化の実現へ向けて

2018-12-062021-08-18

2018/12/03 大阪大学,産業技術総合研究所,科学技術振興機構,内閣府政策統括官（科学技術・イノベーション担当）

ポイント

ナノサイズの磁石の磁極を熱によって高効率制御することに成功。
熱による磁極の高効率制御によって、ナノサイズの磁石が高周波電気信号を増幅するという現象を発見。
この技術は不揮発性固体磁気メモリーであるＭＲＡＭやＡＩハードウェアの低消費電力化に寄与すると期待。

大阪大学大学院基礎工学研究科（附属スピントロニクス学術連携研究教育センター）の後藤穣　助教、若竹陽介（当時　博士前期課程２年）、ＵｇｗｕｍｓｉｎａｃｈｉＫａｌｕＯｊｉ（当時　学部３年）、三輪真嗣　准教授（現　東京大学）、鈴木義茂　教授は産業技術総合研究所スピントロニクス研究センターの久保田均　総括研究主幹、薬師寺啓　研究チーム長、福島章雄　副研究センター長、湯浅新治　研究センター長とＧｒｅｎｏｂｌｅＡｌｐｅｓＵｎｉｖｅｒｓｉｔｙのＮｉｋｉｔａＳｔｒｅｌｋｏｖ　研究員、ＢｅｒｎａｒｄＤｉｅｎｙ　教授と共同で、ナノサイズの磁石の磁極の向きを熱によって高速・高効率に制御することに成功しました。

Ｓｏｃｉｅｔｙ５．０では必要な時に必要な情報がＡＩなどを介して提供されることが求められており、その実現のためには情報の記憶とＡＩに関わるエネルギー消費を大幅に下げる必要があります。本研究はナノサイズの磁石の利用により上記課題の解決を狙ったものであり、その一歩として、熱による磁極の効率的な制御を実現しました。その結果、ナノサイズの磁石が高周波電気信号を増幅するという新たな現象を発見しました。この技術は不揮発性固体磁気メモリーであるＭＲＡＭやＡＩハードウェアの低消費電力化に寄与するものと期待されます。

本研究成果は、２０１９年１月４日発行の英国科学雑誌「ＮａｔｕｒｅＮａｎｏｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ」で出版されます。

本成果は以下の事業・研究プロジェクトによって得られました。

内閣府革新的研究開発推進プログラム（ＩｍＰＡＣＴ）

プログラム・マネージャー:佐橋政司

研究開発プログラム：無充電で長期間使用できる究極のエコＩＴ機器の実現

研究開発課題：電圧効果の物理機構解明と高効率化のための指針確立

研究開発責任者：鈴木義茂（大阪大学大学院基礎工学研究科附属スピントロニクス学術連携研究教育センター　教授）

研究期間：平成２６年度～平成３０年度

本研究開発課題では、電圧駆動型ＭＲＡＭ実現のため磁気異方性の電圧効果の研究に取り組んでいます。

＜佐橋政司　プログラム・マネージャーのコメント＞

ＩｍＰＡＣＴ佐橋プログラムでは、究極のエコＩＴ機器の実現を目指して、電圧駆動ＭＲＡＭの開発［プロジェクトリーダー：湯浅新治（産業技術総合研究所）］に取り組んでいます。今回大阪大学と産業技術総合研究所によってなされた「閉じ込められた熱による記憶層磁化（磁石の磁極）の高速でかつ高効率な磁極制御」は、電圧駆動ＭＲＡＭの高性能化に有益となります。電圧駆動ＭＲＡＭの開発において最も重要な電圧による磁気異方性変化の大きさを決める電圧効果を記憶層に閉じ込められた熱を使って高めることができるとの新たな知見を提供するものです。また、今回の研究成果は、ＡＩハードウェアの低消費電力化やマイクロ波発振素子の高効率化への波及効果も見込めます。今後は磁性体を用いた低消費電力人工知能の実現や、磁性体を用いた検波素子や発振素子などのマイクロ波素子の高性能化を図っていただくことを期待します。

＜背景と経緯＞

近年のＩｏＴ^注１）やＡＩ^注２）の急速な発展に伴い、情報通信機器の低消費電力化が急務となっています。さらに、度重なる災害時にも長時間動作する低消費電力情報通信端末の実現が最重要課題とされています。これらの課題を解決する手段として、スピントロニクス^注３）が注目されています。スピントロニクス分野では磁石の磁極を利用した不揮発性メモリーである磁気ランダムアクセスメモリー（ＭａｇｎｅｔｏｒｅｓｉｓｔｉｖｅＲａｎｄｏｍＡｃｃｅｓｓＭｅｍｏｒｙ：ＭＲＡＭ）^注４）の開発が精力的に進められています。ＭＲＡＭは情報の記憶として磁石の磁極の方向を利用しているため、待機電力ゼロの低消費電力メモリーとして期待されています。また、近年これらの技術をＡＩハードウェアに適用し、ＡＩの低消費電力化を試みる研究も始められています。この情報を記憶する素子を磁気トンネル接合（ＭａｇｎｅｔｉｃＴｕｎｎｅｌＪｕｎｃｔｉｏｎ：ＭＴＪ）^注５）と呼び、ＭＴＪの磁極の向きを小さな電流・電圧で制御することで、素子の消費電力を抑えることができます。これまでは素子にスピン注入^注６）を行うことで情報を書き込む方式のＭＲＡＭの開発が進められてきました。しかし、この方式では書き込みを高速にすると書き込み電流が急激に増大するという問題があり、近年我々は素子に電圧を印加して磁石の磁気異方性^注７）を変えることでスピン注入書き込みよりも小さなエネルギーで情報の書き込みができることを報告してきました。この磁気異方性を制御する方式を実用化させるためには、磁気異方性変化の大きさの増大が求められています。これまでは材料探索によって磁気異方性変化の改善が報告されてきましたが、実用化に求められる特性は実現していません。そこで、材料探索だけでなく、別の原理による磁気異方性変化の探求も求められています。

＜研究の内容＞

本研究では絶縁体を２層用いたＭＴＪ構造を用いて、ジュール熱による巨大な磁気異方性変化を得ることに成功しました（図１）。通常のＭＴＪ構造では、金属磁石（固定層^注８））｜絶縁体｜金属磁石（自由層^注９））の３層構造ですが、我々の構造では金属磁石（自由層）の両面を絶縁体で囲いました。このことによって、金属磁石（自由層）と絶縁体の間に生じる巨大な界面熱抵抗が熱の拡散を抑制し、ＭＴＪに電流が流れた時のジュール熱による金属磁石（自由層）の温度上昇が促進されます。金属磁石（自由層）の温度が上昇すると、磁気異方性が変化するため磁極の方向を変えることができます。ＭＴＪに印加した電圧に対する金属磁石（自由層）の磁気異方性を測定すると、電圧に対して二次関数型の依存性を示すことが分かりました（図２）。ジュール熱の大きさは電圧の２乗に比例するため、この結果はジュール熱による温度上昇が磁気異方性を変化させていることを示しています。この曲線の傾きが、我々が求めている磁気異方性変化の大きさに相当します。この時得られた熱による磁気異方性変化の最大値は３００ｆＪ／Ｖｍであることが分かりました。この大きさは既報で高速性が確かめられている電圧による磁気異方性変化の最大値^注１０）に匹敵し、今後さらなる熱拡散の抑制により一層大きくなることが期待されます。この方法では高速に磁化反転しても必要な電圧・電流の増大はなく、高速磁化反転においても省エネルギーな技術となる可能性があります。また、熱による磁気異方性の変化は金属磁石（自由層）全体で生じるため、従来の磁気異方性変化の手法と比べてより大きな膜厚の素子への適応が可能となります。大きな膜厚の磁石は人工知能計算を行う際に必要な技術であり、応用の範囲が人工知能ハードウェアなどに広がることが期待されます。

さらに我々は、このような大きな磁気異方性変化を利用することで、ＭＴＪを用いてマイクロ波が増幅される新たな現象を発見しました。図３（左図）にこの現象の概念図を示します。直流電流を印加したＭＴＪにマイクロ波を印加します。入力マイクロ波は金属磁石（自由層）（赤矢印）の温度をわずかに振動させます。その結果、磁極の方向も振動します。磁極の方向の振動はトンネル磁気抵抗効果^注１１）を通じてＭＴＪの抵抗の振動となります。抵抗の振動と直流電流によって電圧が振動し、その電圧の振動がマイクロ波を発生させます。結果として、入力マイクロ波よりも大きな反射マイクロ波が得られます。マイクロ波の増幅に関する従来研究^注１２）では、振動磁場を利用した実験が報告されていますが、得られたマイクロ波パワー増幅率は０．００５であり、増幅現象は確認されませんでした。図３（右図）にマイクロ波パワー反射率の周波数と外部磁場に対する依存性を示します。外部磁場５０ｍＴおよびマイクロ波周波数０．４ＧＨｚにおいてマイクロ波パワー反射率１．６程度が得られることが分かりました。この結果はマイクロ波電力が入力マイクロ波に対して６０％程度増幅されたことに相当します。本研究はスピントロニクス素子を用いて初めてマイクロ波が増幅される現象を実証した実験であり、今後半導体を超えるような新しい特性の発見や高感度・高出力な新規マイクロ波素子への応用が期待されます。

＜今後の展開＞

今後はジュール熱による磁気異方性変化を利用して、磁性体を用いた低消費電力人工知能の実現や、磁性体を用いた検波素子や発振素子などのマイクロ波素子の高性能化を図っていきます。

＜付記＞

本研究は内閣府革新的研究開発推進プログラム「無充電で長期間使用できる究極のエコＩＴ機器の実現」（プログラム・マネージャー：佐橋政司）および総務省「次世代人工知能技術の研究開発、課題Ⅱ 脳型演算処理技術の研究開発」の委託の一環として行われました。

＜参考図＞

図１　二重絶縁体型磁気トンネル接合の概念図

金属磁石（自由層）の両側に巨大な界面熱抵抗が存在するために熱拡散が抑制されて、ジュール熱による温度上昇が促進されます。この温度上昇によって自由層の磁極の方向（赤矢印）にはダイナミクスが生じます。黒矢印は固定相の磁極の方向を表します。

図２　ＭＴＪに印加した直流電圧に対する自由層の磁極の磁気異方性

黒と白の四角は電圧掃引方向を示し、赤線はそのフィッティングを表します。黄色と青の破線はフィッティングの一次と二次関数成分をそれぞれ表し、前者が従来から知られている電圧に線形な磁気異方性変化、後者がジュール熱に起因する磁気異方性変化に対応します。

図３　マイクロ波が増幅される現象の概念図（左図）とマイクロ波パワー反射率スペクトルの磁場依存性（右図）

直流電圧Ｖｄｃが印加されたＭＴＪにマイクロ波を入力すると増幅されたマイクロ波が反射されます。本実験では外部磁場５０ｍＴ、周波数約０．４ＧＨｚにおいて１．６以上のマイクロ波パワー反射率を得ることに成功しました。

＜用語解説＞

注１）ＩｏＴ: Ｉｎｔｅｒｎｅｔｏｆｔｈｉｎｇｓの略で、さまざまなものにインターネットが接続されて相互に情報交換することで、相互に制御する仕組み（およびそれによる社会の実現）を意味します。
注２）ＡＩ: 人工知能（Ａｒｔｉｆｉｃｉａｌｉｎｔｅｌｌｉｇｅｎｃｅ）の略。人間の知的な能力（例えば言語の理解、推論、学習や問題解決など）をコンピューターを用いて人工的に実現する技術、およびその研究分野のことを意味します。
注３）スピントロニクス: 電子の持つ電気の性質と磁気の性質（スピン）を巧みに利用することで、新しい現象の発現や新しい機能を持つ電子デバイスの創出を目指す学問、および技術を意味します。代表的な電子デバイスとして、ハードディスクドライブの読み取りヘッドや注４で述べるＭＲＡＭが実用化しています。
注４）磁気ランダムアクセスメモリー（ＭａｇｎｅｔｏｒｅｓｉｓｔｉｖｅＲａｎｄｏｍＡｃｃｅｓｓＭｅｍｏｒｙ：ＭＲＡＭ）: 注５で述べるＭＴＪの磁極の方向によって情報の記録を行うメモリーです。既存の半導体メモリーであるダイナミックランダムアクセスメモリー（ＤＲＡＭ）が電源を切ると情報が失われるのに対し、ＭＲＡＭは電源を切っても磁極の方向は保持されるため情報が失われないという特長があります。
注５）磁気トンネル接合（ＭａｇｎｅｔｉｃＴｕｎｎｅｌＪｕｎｃｔｉｏｎ：ＭＴＪ）: 金属磁石｜絶縁体｜金属磁石の３層構造で構成され、絶縁体の両側にある磁石の磁極の相対角度によって電気抵抗が変化する素子です。絶縁体には、２００４年に産業技術総合研究所が開発した酸化マグネシウム（ＭｇＯ）が用いられます。
注６）スピン注入: 電子は磁気の性質（スピン）を持っており、小さな磁石としてふるまいます。磁極の方向がそろった電子を流すことをスピン注入と言います。ＭＴＪに電流を流すと、磁石の方向がそろった電子が片側の磁石から絶縁体を通してもう片側の磁石へ流れ、スピン注入が生じます。ＭＴＪの磁石は、流れてきた電子の磁石と相互作用するため、ＭＴＪの磁石の磁極の方向を制御することができます。
注７）磁気異方性: 磁石の磁極がある特定の方向に向きやすい性質を意味します。この論文で述べている磁気異方性は、ＭＴＪの薄膜の面に垂直な方向に向きやすい磁気異方性の大きさのことを議論しています。我々のグループは電圧によって磁気異方性を変化させ、磁極の方向を高速に制御する研究を報告してきました^※１）。
注８）固定層: ＭＴＪにおける固定層とは、磁極の向きが変化しにくい磁石のことを意味します。
注９）自由層: ＭＴＪにおける自由層とは、磁極の向きが変化しやすい磁石のことを意味します。
注１０）高速性が確かめられている電圧による磁気異方性変化の最大値: 電圧による磁気異方性変化には約１０億分の１秒で応答する高速な現象と、約１００万分の１秒以上の応答速度を持つ遅い現象が報告されており、今回得られたマイクロ波が増幅される現象は高速な現象に対応します。従来研究で高速性が確認されている電圧による磁気異方性変化の大きさは、例えば約３２０ｆＪ／Ｖｍが報告されています^※２）。
注１１）トンネル磁気抵抗効果: ＭＴＪにおいて２つの磁石の磁極の相対角度によって電気抵抗が変化する現象です。
注１２）マイクロ波の増幅に関する従来研究: マイクロ波の振動磁場を利用して磁極を振動させてマイクロ波の増幅を試みた従来研究が報告されています。この実験ではマイクロ波パワーを変調させることはできましたが、マイクロ波は増幅されませんでした^※３）。

＜論文情報＞

タイトル：“Microwave amplification in a magnetic tunnel junction induced by heat-to-spin conversion at the nano-scale”
（ナノスケールで熱―スピン変換により駆動される磁気トンネル接合を用いたマイクロ波増幅）

ＤＯＩ：10.1038/s41565-018-0306-9