2025-06-06 東京科学大学
東京科学大学らの研究グループは、原子層堆積（ALD）法を用いて、Ga添加In₂O₃（poly-IGO）ナノシートを合成し、これをチャネル層に用いた電界効果トランジスタ（FET）を開発しました。このFETは、5 nm以下の極薄膜でも完全に結晶化しており、真性電界効果移動度が120 cm²/Vsを超える高性能を示しました。また、450℃以下の低温プロセスで作製可能であり、次世代半導体チップやメモリデバイスの高性能化・高集積化・低消費電力化に寄与することが期待されます。
＜関連情報＞
- https://www.isct.ac.jp/ja/news/xzimv9qiq091
- https://www.isct.ac.jp/plugins/cms/component_download_file.php?type=2&pageId=&contentsId=1&contentsDataId=1663&prevId=&key=abf66c44e1216b389b8f45940144f251.pdf
- https://www.vlsisymposium.org/
ALD多結晶GaドープIn2O3(poly-IGO)ナノシートが120cm2/Vsの固有移動度を超え、プロセスフレンドリーなBEOL互換FET応用に貢献
ALD polycrystalline Ga-doped In2O3 (poly-IGO) nanosheet exceeding intrinsic mobility of 120 cm2/Vs for process-friendly BEOL-compatible FET application
Takanori Takahashi, Takuya Hoshiim, Yuki Tsuruma, Misa Sunagawa, Shigekazu Tomai, Jongho Parkm, Hiroki Tamamotom, Kuniyuki Kakushima, Yukiharu Uraoka
学会名:2025 Symposium on VLSI Technology and Circuits
開催期日:2025年6月8日（日）～6月12日（木）
