0505化学装置及び設備 表面に浮いた電子が窒素を活性化するアンモニア合成触媒ー高活性と安定性を両立する表面エレクトレンが高活性を発揮ー
2026-07-07 東京科学大学東京科学大学（Science Tokyo）の研究グループは、結晶表面にアニオン電子が高密度で存在する新しい電子材料「表面エレクトレン」を創製し、これを高性能アンモニア合成触媒へ応用することに成功した。BaS...
東京科学大学
0505化学装置及び設備 
0504高分子製品 分子ゆらぎ制御による湿度安定型・超低誘電損失材料の開発 ～6G・AI半導体を支える次世代高周波絶縁材料の創製へ～
2026-07-06 東京科学大学東京科学大学の早川晃鏡教授らの研究グループは、高周波信号伝送時のエネルギー損失の原因となる高分子鎖の「分子ゆらぎ」を抑制し、超低誘電損失と湿度安定性を両立した新しいポリイミド絶縁材料を開発した。研究では、か...
0502有機化学製品 凝集すると光る分子を計算化学で予測ー官能基配置が決める発光・消光の分子設計指針を発見ー
2026-07-06 東京科学大学東京科学大学、九州大学、熊本大学、香港中文大学（深圳）の共同研究グループは、凝集誘起発光（AIE）色素の発光特性を量子化学計算によって事前に予測できる新たな分子設計手法を開発した。研究では、30種類の橋かけ...
1702地球物理及び地球化学 超高温高圧鉄の中で、水素が流体のように振る舞うー地球内核は超イオン状態かー
2026-07-03 東京科学大学東京科学大学と愛媛大学の研究チームは、地球内核に相当する超高温・超高圧条件下で、面心立方鉄水素化物（fcc FeHₓ）が「超イオン状態」になることを世界で初めて実験的に示唆した。SPring-8の放射光とレ...
0403電子応用 らせん磁気構造の“進む向き”の電流による可逆制御に成功 －磁気構造の新しい電流制御法を実証－
2026-07-02 東京科学大学東京科学大学と理化学研究所の研究チームは、金属らせん磁性体Co₈.₅Zn₈.₅Mn₃において、らせん磁気構造の「進む向き（磁気変調方向）」を電流の極性によって可逆的に切り替えることに世界で初めて成功した。ロ...
0703金属材料 原子層物質の機能を活用した熱電変換材料を開発ー超伝導体研究から生まれた新しい材料設計ー
2026-06-30 東京科学大学東京科学大学の研究グループは、鉄系超伝導体の研究から着想を得て、未利用熱を電力へ変換する高性能熱電材料として層状結晶 TlFe₁.₆Se₂ を開発した。材料はFeSe原子層とTl層が交互に積層し、FeSe層...
0403電子応用 ナノプラスチックを“捕まえて測る”SPRバイオセンサー
2026-06-26 東京科学大学東京科学大学の研究グループは、プラスチック表面に特異的に結合するペプチドと表面プラズモン共鳴（SPR）分光法を組み合わせ、水中のナノプラスチックを選択的かつ高感度に検出できるバイオセンサーを開発した。金薄膜...
0500化学一般 負熱膨張材料の安全でクリーンな合成法を開発 ～環境負荷の低減、精密機器の熱制御に適した微粒子化に成功～
2026-06-19 東京科学大学東京科学大学らの研究グループは、負熱膨張材料（加熱すると収縮する材料）であるペロブスカイト型酸化物BiNi1-xFexO3（BNFO）の新たな合成法「共沈酸化同時プロセス」を開発した。従来法では、前駆体作製...
0403電子応用 強相関電子材料ナノドットの電場による磁化反転を実証ー分極と磁化のトポロジカル構造を制御し高密度・超低消費次世代メモリへー
2026-06-18 東京科学大学東京科学大学と神奈川県立産業技術総合研究所の共同研究チームは、マルチフェロイック材料BiFe₀.₉Co₀.₁O₃（BFCO）のナノドットにおいて、電場による磁化反転を実証した。研究成果は『Science A...
0403電子応用 BBCubeが切り拓く次世代チップ積層技術ー高精度実装・高密度接続・熱設計の3つの基盤技術の確立ー
2026-06-18 東京科学大学東京科学大学（Science Tokyo）の研究チームは、次世代AIシステム向け高密度半導体集積技術「BBCube™」の実現に向け、実装・接続・熱設計の3つの基盤技術を開発した。生成AIや大規模言語モデルの...
0404情報通信 オンチップアンテナ搭載 300 GHz帯 2次元フェーズドアレイトランシーバICを開発～CMOSによるテラヘルツ無線通信の新たなブレークスルー～
2026-06-17 東京科学大学東京科学大学の研究チームは、6Gでの利用が期待される300GHz帯テラヘルツ無線通信向けに、オンチップアンテナを搭載した2次元フェーズドアレイトランシーバICを開発した。従来、この周波数帯では波長が約1mm...
1603情報システム・データ工学 半導体デバイスの「逆問題」をミリ秒で解く手法を開発ー多値性を持つパラメータ空間でも、物性値を高精度に逆推定ー
2026-06-17 東京科学大学東京科学大学（Science Tokyo）、横浜市立大学、台湾国立中山大学などの共同研究グループは、半導体デバイスの測定結果から材料内部の物性値を逆算する「逆問題」を、1ミリ秒未満で高精度に解く機械学習手法...