0403電子応用 超分子重合により「電気信号と光信号に演算的に作動する機能性液晶素子」を開発
ただ混ぜるだけで、電気信号と光信号に演算的に応答する機能性液晶素子を開発した。二種類の機能性パーツが自発的に融合して一義的な階層構造を形成することを可能にした「超分子重合」の新戦略。多段階の製造工程を大幅に簡略化できる。
0403電子応用
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0403電子応用 磁石の中を高速に伝播する”磁気の壁”の運動を電圧で制御することに成功
絶縁体を介して磁石に電圧を加える「電界効果」という手法を用いて、秒速100メートルを超える高速な磁気の壁（磁壁: N極とS極の境界）の運動を制御することに世界で初めて成功した。
0403電子応用 小嶋助教が若手研究者賞を受賞、高性能電波受信機の開発が評価
2018年12月19日 国立天文台本賞を受賞した小嶋崇文助教。国立天文台先端技術センターにて。 国立天文台先端技術センターの小嶋崇文（こじまたかふみ）助教が、このたび「2018 IEEE Microwave Theory and Techn...
0403電子応用 新たなフォトニック結晶構造を用いて半導体レーザーの高輝度化に成功
光出射面積を従来の半導体レーザーの1万倍以上大きくしてもビーム品質劣化がない、新たな「２重格子フォトニック結晶」を考案し、10Ｗ級の高出力でありながら、ビーム拡がり角が極めて狭く、極めて高いビーム品質を達成し、高安定・高輝度動作に成功した。
0403電子応用 世界初、イオン注入ドーピング技術を用いた縦型酸化ガリウムパワー半導体開発に成功
デバイス開発本格化による省エネルギー社会実現に期待 2018/12/12 新エネルギー・産業技術総合開発機構,情報通信研究機構,東京農工大学 NEDOが管理法人を務める内閣府プロジェクト「戦略的イノベーション創造プログラム（SIP）／次世...
0403電子応用 マルチフェロイクス材料における電流誘起磁化反転を実現
強誘電性を持つ半導体のGeTe（Ge：ゲルマニウム、Te：テルル）に磁性元素のMn（マンガン）を添加したマルチフェロイクス材料の薄膜に電流を流すことで、ラシュバ・エデルシュタイン効果により、磁化が反転する現象を観測した。
0403電子応用 磁気のない金属からナノ薄膜磁石を作ることに成功
磁力が微弱でも磁気を保持する力が強いナノ薄膜磁石の開発に成功し、ナノ薄膜磁石を用いた素子の基本特性を室温で観測することに成功した。
0403電子応用 次世代の指向性白色光源の開発に成功 ～ナノアンテナで明日を照らす～
金属ナノシリンダー周期アレイ構造を蛍光体基板上に作製することで、蛍光の方向を揃える「ナノアンテナ」として働き、青色と蛍光の放射方向を揃え、指向性を持った白色光を作り出すことができた。また、アレイのない基板に比べ最大7倍にまで高められた。
0403電子応用 熱による高速・高効率な磁極制御、ＭＲＡＭとＡＩハードウェアの低消費電力化の実現へ向けて
ナノサイズの磁石を熱により磁極の効率的な制御を実現した。その結果、ナノサイズの磁石が高周波電気信号を増幅するという新たな現象を発見した。
0403電子応用 SiCを用いた次世代型トランジスタ構造を開発
炭化ケイ素（SiC）半導体を用いた1.2 kV耐電圧（耐圧）クラスの縦型スーパージャンクション（SJ）MOSFETを開発し、SiCトランジスタの世界最小オン抵抗を達成した。
0403電子応用 強誘電体二酸化ハフニウムを用いたトランジスターとメモリーの動作メカニズムを解明
強誘電体であるＨｆＯ２（二酸化ハフニウム）をゲート絶縁膜とするトランジスターがより低電圧で動作する仕組みを実験的に解明した。
0403電子応用 ＥＵＶリソグラフィの性能を向上する露光モジュールを開発
産学共同実用化開発事業ＮｅｘＴＥＰの成果 2018/12/04 科学技術振興機構,大阪大学 ,東京エレクトロン九州株式会社 ポイント 最先端半導体デバイス製造のための極端紫外線（ＥＵＶ）リソグラフィでは、露光光源強度不足で生産性が低く、高...