0400電気電子一般 薄膜トランジスタを部分的なレーザー処理で高速化する技術を開発~４Ｋ８Ｋ大型テレビの製造コストを大幅に低減
ａ－Ｓｉ膜のＴＦＴ素子のチャネル領域のみをレーザーアニール処理して、局所的に再結晶化することでＴＦＴ素子を高速化する技術を基に、レーザーアニール処理されたＴＦＴの性能をリアルタイムに測定する装置の開発など、量産の課題を解決し実証した。
0403電子応用
0400電気電子一般 
0110情報・精密機器 超省エネ・小型の原子時計の開発に成功～自動車やスマートフォン、小型衛星などにも搭載可能な高精度時計～
2019-02-19 産業技術総合研究所 要点 これまで不可能だった小型電子機器に搭載できる原子時計を開発 従来型の大きな原子時計と同等の周波数安定度を実現、消費電力、サイズを一桁以上低減 政府が進めるIoTが支えるソサエティ5．0（超ス...
0400電気電子一般 スピントロニクス集積回路技術を用いて、 高性能と超低消費電力を両立する 不揮発マイコンを世界で初めて実証
スピン移行トルク型ＭＴＪ（磁気トンネル接合素子）とＳｉ－ＣＭＯＳ技術を組み合わせた集積回路技術を用いて、高性能（動作周波数２００ＭＨｚ）と超低消費電力（平均電力５０μＷ以下）を両立する不揮発マイコンを世界で初めて実証した。
0403電子応用 高温動作可能な高出力テラヘルツ量子カスケードレーザー
「非平衡グリーン関数法」に基づく第一原理計算を用いて高エネルギーサブバンド準位を最適化した構造を用いて、「テラヘルツ光」を光源として用いる「テラヘルツ量子カスケードレーザー」の高出力化および高温動作性能の向上に成功した。
0403電子応用 プラモデルのように組み立てる超薄型（５マイクロメートル）半導体ひずみセンサチップ
次世代型高性能フレキシブルデバイスの機械構造設計、精密組み立て技術 2019-02-14 産業技術総合研究所 発表のポイント 厚さわずか５マイクロメートルで曲げられる超薄型半導体ひずみセンサチップを、一般的な半導体製造プロセスを用いて大量...
0403電子応用 ドープ有機半導体の電気伝導度を決定づける、鍵となる因子を発見
2019-02-05 自然科学研究機構 研究の概要 有機半導体は、柔軟で、曲げることのできる電子回路を、印刷技術で大量に作るためには欠かせない材料であり、既に、有機発光ダイオード（OLED）を用いたディスプレイ市場では成功を収めています。し...
0401発送配変電 振動発電素子のエレクトレット外付けに成功
ＭＥＭＳ可変容量素子とエレクトレット成膜基板を電気配線で接続するだけで発電可能な、新しい振動発電素子の開発に成功した。
0403電子応用 窒化タンタルからなる赤色透明な酸素生成光電極を開発
窒化タンタル（Ta3N5）光触媒を用いて、太陽光によって水を高効率に分解できる赤色透明な酸素生成光電極の開発に成功、水の分解反応による水素／酸素製造で世界トップレベルの太陽光エネルギー変換効率5.5％を達成した。
0403電子応用 シリコン量子ビットの高温動作に成功
シリコン中の「深い不純物（アルミ-窒素不純物ペア）」の電子スピンを用いることで、従来よりも100倍以上高い温度（10K）での量子ビット動作を実現した。
0401発送配変電 CIS系薄膜太陽電池セルで世界最高変換効率23.35％を達成
2019-01-17 新エネルギー・産業技術総合開発機構,ソーラーフロンティア株式会社 NEDOとソーラーフロンティア（株）は、カドミウムを含まないCIS系薄膜太陽電池セル（約1cm2）によって、CIS系薄膜太陽電池で世界最高のエネルギー...
0403電子応用 ミリ波帯高速無線通信の拡大を牽引する材料計測技術を開発
高周波回路の実装用基板などに用いる低損失のエレクトロニクス材料の誘電率を170 GHzまでの超広帯域にわたって高精度に測定する技術を開発した。
0403電子応用 スピントロニクスにおける新原理「磁気スピンホール効果」の発見
反強磁性金属Ｍｎ３Ｓｎを用いてスピントロニクス素子を作製し、結晶表面にスピン蓄積を確認した。外部磁場の向きを変化させながら印加することでＭｎ３Ｓｎの微小磁化の向きを反転させ、蓄積したスピン極性が変化する「磁気スピンホール効果」を発見した。