2025-07-07 東京大学
東京大学と住友電工は、新規窒化物半導体ScAlN/GaNヘテロ接合の高品質成長に成功し、その界面で形成される高密度二次元電子ガス（2DEG）の電子移動度が界面ラフネス散乱によって制限されていることを初めて明確に示した。特に非放物線的な伝導帯に起因する有効質量の増大を考慮し、移動度の温度依存性を詳細解析した点に新規性がある。これはGaN HEMTの性能向上と次世代高周波通信技術の発展に貢献する成果である。
ScAlN/GaNヘテロ接合における二次元電子ガスが界面ラフネスにより散乱される概念図
＜関連情報＞
- https://www.t.u-tokyo.ac.jp/press/pr2025-07-07-001
- https://www.t.u-tokyo.ac.jp/hubfs/press-release/2025/0707/001/text.pdf
- https://mkon.nu/icns-15/invited_speakers
プラズマ支援分子線エピタキシー法で成長したScAlN/GaNヘテロ構造における2DEGの散乱メカニズム
Scattering Mechanism of 2DEG in ScAlN/GaN Heterostructures Grown by Plasma-Assisted Molecular Beam Epitaxy
Kouei Kubota, Yusuke Wakamoto, Takahiko Kawahara, Shigeki Yoshida, Kozo Makiyama, Ken Nakata, Ryosho Nakane, Takuya Maeda
The 15th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS 15) 2025年7月6日～11日
