二次元電子ガス

遷移金属ニオブを含む極性ウルツ鉱型窒化物半導体「NbAlN」の作製に成功～GaN系ヘテロ構造の界面電子密度を3倍超に高め、分極を生かした材料設計を拡張～

2026-09-07 東京理科大学,東京大学,三重大学東京理科大学、東京大学、三重大学の研究グループは、遷移金属ニオブ（Nb）を含む極性ウルツ鉱型窒化物半導体「NbAlN」の単結晶エピタキシャル薄膜を、GaN上に作製することに初めて成功した...

2026-09-07

0403電子応用

新規窒化物半導体ヘテロ接合における電子散乱機構を解明～高周波GaNトランジスタの性能向上に道筋～

2025-07-07 東京大学東京大学と住友電工は、新規窒化物半導体ScAlN/GaNヘテロ接合の高品質成長に成功し、その界面で形成される高密度二次元電子ガス（2DEG）の電子移動度が界面ラフネス散乱によって制限されていることを初めて明確に...

2025-07-07

0403電子応用