0402電気応用 ロームがグリーンイノベーション基金事業の技術目標を2年前倒しで達成しました ―8インチSiCデバイス製造体制の構築完了―
2026-04-02 新エネルギー・産業技術総合開発機構NEDOは、グリーンイノベーション基金事業において、ロームが進める8インチSiC MOSFET開発の技術目標が当初計画より2年前倒しで達成されたと発表した。ロームは8インチSiCウエハ...
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0403電子応用 ダイヤモンドパワーデバイスのアンペア級の高速スイッチング動作を確認～次世代モビリティのパワーユニット駆動に向けたダイヤモンドパワー半導体～
2025-03-24 産業技術総合研究所産業技術総合研究所と本田技術研究所は、自動車駆動用途に向けた高電圧・大電流対応のダイヤモンドMOSFETを開発した。これは2.5アンペア動作で立下り時間19ナノ秒、立上り時間32ナノ秒の高速スイッチン...
0403電子応用 1200ボルトクラスのショットキーバリアダイオード内蔵SiCトランジスタを開発
発表・掲載日：2017/12/05 産総研1200ボルトクラスのショットキーバリアダイオード内蔵SiCトランジスタを開発－ハイブリッド車(HEV)/電気自動車(EV)向けの高効率・高信頼パワーモジュール実現へ－ポイント 1200 V耐圧クラ...