ISPSD 2026

耐圧kV級GaN光伝導型スイッチの動作実証に成功 ―再生可能エネルギーにおける電力変換用途に期待―

2026-05-25 東京大学東京大学と三菱ケミカルの研究グループは、耐圧kV級のGaN光伝導型スイッチ（PCSS）の動作実証に成功した。成果はISPSD 2026で発表予定である。研究では、Mn添加半絶縁性GaNバルク基板にSiイオン注入...

2026-05-25

0403電子応用

超低損失AlN系ショットキーバリアダイオードの試作に成功 ―低炭素社会に寄与する新しいパワー半導体の実現に向け大きく前進―

2026-05-25 東京大学東京大学大学院工学系研究科とNTTは、超低損失なAlN系ショットキーバリアダイオード（SBD）の試作実証に成功した。成果はISPSD 2026で発表予定である。研究では、組成傾斜AlGaN耐圧維持層とAlN/A...

2026-05-25

0403電子応用