窒化ガリウム高電子移動度トランジスタ(GaN HEMT)

0403電子応用

窒化ガリウムでMEMS振動子を開発 ~5G通信向けの高集積発振器に期待~

2020-12-14 科学技術振興機構 ポイント 第5世代移動通信システム(5G)に求められる高精度な同期を実現する高性能な周波数基準発振器として、微小電気機械システム(MEMS)発振器が期待されている。 シリコン系MEMS振動子は高温下で...
0403電子応用

GaN HEMTの放熱効率を高めるダイヤモンド膜の形成に成功

発熱量を40 %低減し、レーダーシステムの小型化が可能に 2019-12-05 富士通株式会社,株式会社富士通研究所 富士通株式会社(以下、富士通)と株式会社富士通研究所(注1)(以下、富士通研究所)は、気象レーダーなどのパワーアンプ(増幅...
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