1701物理及び化学 量子測定が誘起するトポロジカル相のバルクエッジ対応
2025-06-19 東京大学東京大学の大島久典大学院生らの研究チームは、測定によるトポロジカル相転移に関する新たな理論枠組みを構築し、測定下の量子系でもバルク‐エッジ対応が成立することを初めて理論的に示しました。リャプノフ解析を用いて、非...
東京大学
1701物理及び化学 
0403電子応用 ワイル反強磁性体による交換バイアスの室温制御に成功～新奇な磁気秩序を活かした機能設計が導く、スピントロニクス技術の新展開～
2025-06-17 東京大学東京大学の研究チームは、ワイル反強磁性体Mn₃Snと強磁性体を積層した構造において、従来は冷却と磁場が必要だった交換バイアス効果を、室温かつ磁場印加のみで制御する手法を開発しました。これにより、交換バイアスの符...
1702地球物理及び地球化学 オホーツク海南部氷縁域の氷盤分布観測にはじめて成功～季節海氷域の融解過程の理解と変動予測への貢献に期待～
2025-06-16 北海道大学北海道大学の豊田威信助教らの研究チームは、ドローンを用いてオホーツク海南部の氷縁域における氷盤の分布観測に初めて成功しました。観測により、直径約1m以上の氷盤は自己相似性を持ち、それ以下の氷盤では熱的な破砕が...
0403電子応用 強誘電体界面の電荷分布直接観察に成功～強誘電体デバイスの理解と性能向上を加速～
2025-06-14 科学技術振興機構,東京大学東京大学とJST（科学技術振興機構）のERATOプロジェクトにて、強誘電体のドメイン界面におけるナノスケールの電荷分布を“超原子分解能”電子顕微鏡により初めて直接観察することに成功しました。従...
0403電子応用 世界最高水準の長寿命超伝導共振器を開発～量子メモリや誤り訂正の基盤技術として期待～
2025-06-13 理化学研究所,情報通信研究機構,東京大学スパイラル形状の高Q値超伝導共振器（イメージ）理化学研究所、情報通信研究機構、東京大学の共同研究チームは、スパイラル形状と高品質窒化チタン薄膜を組み合わせた平面型超伝導共振器を開...
1701物理及び化学 カーボンコートモスアイ構造による超広帯域な完全吸収体～テラヘルツから深紫外までの領域で98%以上の吸収率を実現～
2025-06-12 東京大学東京大学の小西邦昭准教授らの研究グループは、シリコン製モスアイ構造に厚さ100nmのカーボン膜をコーティングすることで、1～1200 THzというテラヘルツから深紫外に至る超広帯域で98%以上の吸収率を持つ完全...
0110情報・精密機器 レーザー加工を従来比100万倍高速化～半導体分野におけるガラスの微細加工に革新～
2025-06-12 東京大学東京大学大学院工学系研究科の伊藤佑介講師らとAGCは、ガラスなど透明素材を従来の100万倍高速で超精密に加工する手法、「ベッセルTSL加工法」を開発しました。レーザーの時間波形（鋭いピコ秒パルス＋低強度マイクロ...
1602ソフトウェア工学 非常に高速で多様な情報検索が可能に～生成AIやECサイト検索結果向上から地震の波形探索への応用まで～
2025-06-12 東京大学東京大学大学院情報理工学系研究科の松井勇佑講師は、画像や文章の検索結果の多様性を向上させる新手法「LotusFilter」を開発しました。LotusFilterは、似すぎている結果を非常に高速（0.02ミリ秒/...
1702地球物理及び地球化学 気候ティッピングは予測可能か？～データ同化の数理で探る気候変動の転換点の予測可能性～
2025-06-11 東京大学東京大学大学院（久保亘修士・澤田洋平准教授）の研究グループは、気候変動による不可逆的変化「気候ティッピング」の予測可能性を初めて定量評価する手法を開発しました。データ同化を用いた観測システムシミュレーション実験...
1701物理及び化学 鮮やかな色変化をする相転移のメカニズムを超高速分光で解明！～長年謎だった光誘起電荷移動型スピン転移現象の しくみが明らかに～
2025-06-06 東京大学東京大学と仏レンヌ大学の研究チームは、色変化を伴う相転移物質CsCoWで、光誘起による電荷移動とスピン転移の順序をフェムト秒分光により解明。光照射後、まず数十フェムト秒でCoとW間の電荷移動が起き、130フェム...
0403電子応用 光導波路多重型シリコン光行列演算回路を実証～AIに向けた超並列光コンピューティングへの道を拓く～
2025-06-06 東京大学東京大学は、未活用だった「光導波路多重」を用い、シリコンチップ上で高いスケーラビリティを持つ光行列演算回路を初めて実証。従来の波長・モード多重に加え、多ポート光検出器を活用することで、AI演算の基礎である行列-...
0107工場自動化及び産業機械 次世代半導体ガラス基板への微細レーザー加工を実現
2025-05-31 東京大学東京大学とAGCは、次世代半導体用のガラス基板（EN-A1）に対し、深紫外レーザーを用いて直径10マイクロメートル以下、アスペクト比約20の微細穴あけ加工に成功しました。従来のエッチング法では困難だった高密度・...