0403電子応用

３つの電子スピン量子ビットを擁する半導体量子ドットデバイスにおいて、隣り合わない（非隣接）量子ビット間に「量子もつれ状態」を生成・観測することに成功した。

スピントロニクスを利用したデバイスは、高速かつ不揮発なメモリーや、超高密度なハードディスクとして身近になりつつある。スピン流の流れやすさを制御するスピン流スイッチの原理を発見・実証した。

非散逸なトポロジカル伝導現象の低消費電力エレクトロニクスへの応用に向けて2018-05-19　東京大学　理化学研究所　科学技術振興機構（ＪＳＴ）ポイント トポロジカル物質の母物質にあたるトポロジカル半金属について、化学置換と電界効果によるキ...

高移動度グラフェン超格子デバイスの作製により成功　量子エレクトロニクスへの展開に期待2018-05-19　国立研究開発法人 物質・材料研究機構　国立大学法人 群馬大学NIMSと群馬大学は、高い移動度を持つグラフェン超格子デバイスを作製し、ト...

窒化ガリウム (GaN) 半導体の直径2インチウエハ結晶面の「ゆがみ」を、ウエハ全面を一度に、しかも数10マイクロメートルの空間分解能で可視化する新たな評価手法を開発しました。

半導体の膜厚を分子レベルで制御するため、π電子骨格に連結したアルキル鎖の長さが自由に変えられるという特長を活かす、新たな製膜法を開発しました。従来の常識を大きく超える大面積にわたって究極の薄さをたもつ、きわめて高均質かつ高性能な超極薄半導体が得られました。

赤外光によるエネルギー伝送方式により、世界最小の生体埋め込み対応ワイヤレス型光刺激デバイスを開発しました。

グラフェン回路を用いたスピントランジスタの実現にかかせない電子スピンの向きを制御する新技術の開発に成功しました。

シリコンチップ上で動作する高速なグラフェン発光素子を開発し、その発光素子を使った光通信を実演するとともに、光のオン／オフを高速に変化（高速変調）できるメカニズムも新たに発見しました。