0501セラミックス及び無機化学製品 AI時代を支える新磁性体、二酸化ルテニウム薄膜の「交代磁性」を実証〜AI・データセンター向け高速・高密度メモリ開発に期待〜
2025-09-24 物質・材料研究機構,東京大学,京都工芸繊維大学,東北大学物質・材料研究機構（NIMS）は、二酸化ルテニウム（RuO₂）薄膜における交代磁性の実証に成功した。交代磁性はスピンが互いに打ち消し合う配置で強磁性とは異なるが、...
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0501セラミックス及び無機化学製品 
0402電気応用 1Wh級の積層型リチウム空気電池を開発〜「高出力」「長寿命」「大型化」を同時に実現するカーボン電極を開発〜
2025-09-19 物質・材料研究機構,東洋炭素株式会社NIMS（物質・材料研究機構）は、世界初となる1Wh級の積層型リチウム空気電池を開発した。従来は小型セルに限られていたが、今回の研究では酸素極の多孔質設計と積層化技術により、世界最大...
1701物理及び化学 理論計算によるホイスラー合金の包括的データベースを創出〜格子振動安定性や磁性を含む多面的な物性情報を公開〜
2025-09-18 物質・材料研究機構物質・材料研究機構（NIMS）は、理論計算に基づきホイスラー合金の包括的データベースを構築した。高スループット計算により1万超の組成を網羅的に解析し、磁性・熱電・触媒特性など応用可能な材料群を抽出。既...
0505化学装置及び設備 AI嗅覚センサのニオイ識別過程の可視化に成功〜ニオイ分子ごとに最適な感応材料の開発指針を提供〜
2025-09-11 物質・材料研究機構NIMSは人工嗅覚センサの実用化に向け、説明可能AI（XAI）を用いてニオイ識別の過程を可視化することに成功した。94種類のニオイ分子を14種類の感応材料を備えた嗅覚センサMSSで測定し、AI解析によ...
0403電子応用 電力ロスを大幅に低減！革新的な鉄系磁性材料を開発〜新たな組織と磁化制御技術で実現 次世代トランス・EV部品への応用に期待〜
2025-09-03 物質・材料研究機構,東北大学,産業技術総合研究所NIMS、東北大学、産総研の共同研究チームは、鉄系軟磁性アモルファスリボンに新たなナノ組織・磁区構造の制御技術を導入し、電力損失を従来比で50%以上低減することに成功しま...
0500化学一般 従来比30倍の高速実験で新しい磁気センサー材料を発見～AIによるデータ解析・予測による超効率的開発に成功～
2025-09-04 物質・材料研究機構,科学技術振興機構Web要約 の発言：NIMSとJSTの研究チームは、磁性材料の異常ホール効果を従来比30倍の速さで測定できる新手法を開発しました。1枚の試料内で組成を連続的に変化させる「組成傾斜薄膜...
0110情報・精密機器 電子顕微鏡と機械学習で２次元原子層材料の微細構造を高精度に解析〜単層MoS2膜のツイストと極性をナノレベルで丸ごと可視化〜
2025-08-25 物質・材料研究機構NIMSらの研究チームは、走査透過電子顕微鏡（4D-STEM）と機械学習を組み合わせ、次世代半導体材料として注目される単層二硫化モリブデン（MoS₂）膜の微細構造をナノメートルスケールで広範囲かつ高精...
0403電子応用 高エントロピー酸化物で低抵抗・高性能TMR素子を実現〜大容量磁気ストレージでスマート社会を支える新材料〜
2025-07-09 物質・材料研究機構NIMSは、高エントロピー酸化物「LiTiMgAlGaO」をTMR素子のバリア層に用い、強い垂直磁化、高TMR比（80％超）、低電気抵抗の同時実現に成功した。従来のMgOバリアに比べてバリア高さが半分...
0705金属加工 構造材料データベースの自動×超高速生成システムの開発に成功〜大規模データセット構築を7年から”13日”に。超合金の開発加速に期待〜
2025-07-07 物質・材料研究機構NIMSは、航空機エンジン用超合金（Ni–Co基γ/γ′超合金）において、プロセス・構造・特性データを13日間で取得可能な自動・超高速評価システムの開発に成功しました。従来ではデータ取得に約7年かかっ...
0703金属材料 「疲労」が材料を強くする～き裂“発生”の抑制がカギ 高強度鋼の疲労限度を2倍化する新手法を開発～
2025-06-30 物質・材料研究機構,科学技術振興機構NIMSは、高強度鋼にあらかじめ疲労変形を与える「予疲労トレーニング」により、疲労限度を2倍に高める新手法を開発した。従来は引張強度が高すぎると疲労限度が頭打ちになるとされていたが、...
0402電気応用 「横型トムソン効果」の観測に世界で初めて成功〜トムソン効果発見から170年 新原理により次世代熱マネジメント技術の創出へ〜
2025-06-26 物質・材料研究機構,名古屋大学,東京大学,科学技術振興機構NIMSと名古屋大学、東京大学の研究チームは、金属・半導体に熱流・電流・磁場を互いに直交して加えた際に発生する「横型トムソン効果」を世界で初めて観測。従来のトム...
0403電子応用 トンネル磁気抵抗（TMR）に対する新理論を提案〜TMR比向上の鍵「TMR振動」の解明に前進〜
2025-06-18 物質・材料研究機構NIMSは、磁気メモリに応用されるトンネル磁気抵抗（TMR）の向上に向け、絶縁層の厚さに伴うTMR比の振動（TMR振動）を説明する新理論を提案しました。従来不明だったこの振動の起源に対し、界面における...