0403電子応用 トンネル磁気抵抗(TMR)に対する新理論を提案〜TMR比向上の鍵「TMR振動」の解明に前進〜
2025-06-18 物質・材料研究機構NIMSは、磁気メモリに応用されるトンネル磁気抵抗(TMR)の向上に向け、絶縁層の厚さに伴うTMR比の振動(TMR振動)を説明する新理論を提案しました。従来不明だったこの振動の起源に対し、界面における...
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