0102材料力学 高温で速度に影響されない「理想の摩擦」を呈する挙動を観測 — 摩擦の起源解明につながる新発見 —
2026-07-23 物質・材料研究機構NIMS（物質・材料研究機構）は、米国地質調査所（USGS）、東京大学との共同研究で、層状酸化物マイカを約200℃まで加熱すると、動摩擦力がすべり速度に全く依存しない「理想的なアモントン・クーロン摩擦...
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0102材料力学 
0703金属材料 熱を電気に変える「ナノ界面」をマクロに三次元形成した磁性体を開発 — 熱エネルギーの有効活用に向けた新たな材料設計の指針 —
2026-07-21 物質・材料研究機構,東京大学,科学技術振興機構NIMS（物質・材料研究機構）と東京大学の研究チームは、磁性絶縁体であるイットリウム鉄ガーネット（YIG）粉末の表面を白金（Pt）で被覆し、圧縮成形することで、材料内部全体...
0403電子応用 二次元半導体の直接成長ウェハ上でのトランジスタ基本動作を初実証 ―転写プロセスに頼らない集積回路用プラットフォームへ道―
2026-07-09 東京大学東京大学、物質・材料研究機構（NIMS）、名古屋大学の共同研究グループは、二次元半導体である単結晶二硫化モリブデン（MoS₂）を、従来必要とされていた転写工程を経ることなく、成長させたサファイア基板上で直接トラ...
0403電子応用 シリコン上の縦型GaNデバイス実現に道を拓く低抵抗バッファー層を開発 — GaNのエピタキシャル成長と縦方向の電気伝導を両立 —
2026-06-15 物質・材料研究機構NIMS（物質・材料研究機構）は、安価なシリコン（Si）ウェハー上で縦型窒化ガリウム（GaN）デバイスを実現するための新しいエピタキシャル成膜技術を開発した。研究チームは、Siと窒素からなる極薄の「ア...
0403電子応用 テラヘルツ波で物質の「ねじれ」を“地図”のように可視化 ―次世代材料や次世代通信の開発を支える新分光イメージング技術を確立―
2026-06-03 千葉大学千葉大学、東北大学、物質・材料研究機構（NIMS）の研究チームは、テラヘルツ（THz）波を用いて物質内部のキラリティ（右ねじれ・左ねじれ）の空間分布を二次元画像として可視化する世界初の分光イメージング技術を開発...
0501セラミックス及び無機化学製品 硬い酸化物が大きく膨張する新現象を発見 — 結晶の基本骨格と化学組成を保ったまま、原子の並び方が変わることで「戻らない巨大膨張」を実現 —
2026-06-01 物質・材料研究機構NIMS（物質・材料研究機構）は、高圧合成により作製したルテニウム酸バリウム（Ba₄Ru₃O₁₂）において、加熱すると体積が約4.4％増加し、冷却後もその膨張状態が維持される「戻らない巨大膨張」現象を...
0703金属材料 磁気冷凍材料の冷却能力と安定性を両立する材料設計手法を確立～共有結合の精密制御により高効率・高持続性磁気冷凍材料を実現～
2025-12-19 物質・材料研究機構,京都工芸繊維大学,高輝度光科学研究センター,兵庫県立大学,ダルムシュタット工科大学,科学技術振興機構NIMS（物質・材料研究機構）を中心とする国際共同研究チームは、磁気冷凍材料における「冷却能力」と...
1603情報システム・データ工学 複数の自律自動AIシステムが自発的に連携して材料研究を推進～新規材料発見を全体効率化する自律自動AIネットワーク技術を開発～
2025-12-10 物質・材料研究機構,筑波大学科学技術振興機構NIMS・筑波大学・JSTの研究チームは、複数の自律自動AIシステムが互いに自発的にナレッジ（学習した知見）を共有して連携し、新規材料探索を効率化する「自律自動AIネットワー...
0500化学一般 組成傾斜薄膜に対応したAIベース自律材料探索システムを開発～最高性能を示す新しい磁気機能材料薄膜の高効率な開拓に成功～
2025-11-20 物質・材料研究機構,科学技術振興機構NIMSとJSTの研究チームは、組成が連続的に変化する「組成傾斜薄膜」を対象に、大量データの自動解析とAIによる最適組成予測を可能にする自律材料探索システムを開発した。組成傾斜薄膜か...
0403電子応用 イオンゲルとグラフェンで、機械学習の計算を劇的に省力化できるAIデバイスを実現～エッジAI向け省エネ技術として期待～
2025-10-14 物質・材料研究機構,東京理科大学,神戸大学,科学技術振興機構Web要約 の発言：物質・材料研究機構（NIMS）は、イオンゲルとグラフェンを組み合わせた新型AIデバイスを開発し、機械学習の計算を大幅に省力化できることを実...
1701物理及び化学 スピンの集団運動で熱の流れを操る新しい手法を実証 ～磁性体による革新的な熱輸送制御技術へ一歩前進～
2025-10-06 物質・材料研究機構）,東京大学,産業技術総合研究所,大阪大学,東北大学,科学技術振興機構物質・材料研究機構（NIMS）の研究チームは、磁性体内部のスピンの集団運動（スピン波）を利用して、熱の流れを制御する新しい手法を実...
0501セラミックス及び無機化学製品 AI時代を支える新磁性体、二酸化ルテニウム薄膜の「交代磁性」を実証〜AI・データセンター向け高速・高密度メモリ開発に期待〜
2025-09-24 物質・材料研究機構,東京大学,京都工芸繊維大学,東北大学物質・材料研究機構（NIMS）は、二酸化ルテニウム（RuO₂）薄膜における交代磁性の実証に成功した。交代磁性はスピンが互いに打ち消し合う配置で強磁性とは異なるが、...