0403電子応用 シリコン上の縦型GaNデバイス実現に道を拓く低抵抗バッファー層を開発 — GaNのエピタキシャル成長と縦方向の電気伝導を両立 —
2026-06-15 物質・材料研究機構NIMS(物質・材料研究機構)は、安価なシリコン(Si)ウェハー上で縦型窒化ガリウム(GaN)デバイスを実現するための新しいエピタキシャル成膜技術を開発した。研究チームは、Siと窒素からなる極薄の「ア...
0403電子応用
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