0403電子応用 半導体内部の電子をこれまでにない詳細で観察（A New Close-Up View of Electrons Inside Semiconductors）
2026-09-17 ローレンス・バークレー国立研究所（LBNL）ローレンス・バークレー国立研究所（Berkeley Lab）主導の研究チームは、2次元半導体内部の電子と欠陥の相互作用を、これまでより直接的かつ高い空間分解能で観察する手法を...
2次元半導体
0403電子応用 
0403電子応用 水素終端ゲルマニウム層状半導体（ゲルマナン）において記録的な正孔移動度を達成 ──2D/3D同一元素ヘテロ界面による新たな材料開発の指針──
2026-04-09 東京大学東京大学大学院総合文化研究科の研究チームは、水素終端ゲルマニウム層状半導体「ゲルマナン（GeH）」において、記録的な正孔移動度（67,000 cm²/Vs）を達成した。3Dゲルマニウム基板上に2Dゲルマナンを形...
0403電子応用 高圧で2D半導体GaTeのテラヘルツ放射を13倍に増強（New Study Reveals High Pressure Boosts Terahertz Emission by 13-Fold in 2D Semiconductor GaTe）
2025-11-28 中国科学院（CAS）中国科学院の研究チームは、2次元半導体GaTeに高圧を加えることで、テラヘルツ（THz）放射強度を最大13倍まで増強できることを発見した。ダイヤモンドアンビルセルによる高圧下で、GaTeの結晶構造と...