未分類 今週のTii技術情報TOP10｜次の技術開発を動かす10の研究トレンド
2026-10-02 Tii研究所はじめに2026年9月25日から10月1日にTii技術情報で紹介された研究を横断すると、今週は「新しい現象を発見する」だけでなく、「その発見を実際に使える技術へ変える」研究が目立った。ウエハースケールの2次...
2次元半導体
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0403電子応用 高性能p型2次元半導体をウエハースケールで実現 ―原子1層BCNが次世代の相補型電子回路への道を拓く―
2026-10-01 東京大学東京大学などの国際研究チームは、原子1層の窒化ホウ素（BN）格子に炭素を原子レベルで置換して取り込むことで、**高性能なp型2次元半導体・ホウ素炭素窒化物（BCN）**を実現した。2種類の原料分子の分解・表面反...
0403電子応用 半導体内部の電子をこれまでにない詳細で観察（A New Close-Up View of Electrons Inside Semiconductors）
2026-09-17 ローレンス・バークレー国立研究所（LBNL）ローレンス・バークレー国立研究所（Berkeley Lab）主導の研究チームは、2次元半導体内部の電子と欠陥の相互作用を、これまでより直接的かつ高い空間分解能で観察する手法を...
0403電子応用 水素終端ゲルマニウム層状半導体（ゲルマナン）において記録的な正孔移動度を達成 ──2D/3D同一元素ヘテロ界面による新たな材料開発の指針──
2026-04-09 東京大学東京大学大学院総合文化研究科の研究チームは、水素終端ゲルマニウム層状半導体「ゲルマナン（GeH）」において、記録的な正孔移動度（67,000 cm²/Vs）を達成した。3Dゲルマニウム基板上に2Dゲルマナンを形...
0403電子応用 高圧で2D半導体GaTeのテラヘルツ放射を13倍に増強（New Study Reveals High Pressure Boosts Terahertz Emission by 13-Fold in 2D Semiconductor GaTe）
2025-11-28 中国科学院（CAS）中国科学院の研究チームは、2次元半導体GaTeに高圧を加えることで、テラヘルツ（THz）放射強度を最大13倍まで増強できることを発見した。ダイヤモンドアンビルセルによる高圧下で、GaTeの結晶構造と...