1701物理及び化学 近藤絶縁体YbB₁₂における磁気音響量子振動の探索 ～超音波実験により絶縁体相の謎に迫る～
2026-06-23 東京理科大学東京理科大学、東京大学、東北大学などの共同研究グループは、近藤絶縁体YbB₁₂において報告されてきた量子振動の起源を解明するため、超音波を用いた磁気音響量子振動（MAQO）の探索を実施した。YbB₁₂は絶縁...
東京理科大学
1701物理及び化学 
0501セラミックス及び無機化学製品 炭素中心金(I)イオンクラスターの不斉合金化法の開発に成功！ ～赤色から近赤外領域の光を発するキラル合金クラスター：光機能材料への応用に期待～
2026-06-05 東京理科大学,分子科学研究所,総合研究大学院大学,科学技術振興機構東京理科大学、分子科学研究所、総合研究大学院大学らの共同研究チームは、炭素中心金(I)イオンクラスターに銀(I)イオンを導入しながら金(I)イオンを単原...
0703金属材料 説明可能AIのアプローチでフェルミ面の異常検知に成功 ～ホイスラー合金のスピン偏極とノーダルラインを自動検出～
2026-04-28 東京理科大学,京都工芸繊維大学,筑波大学,科学技術振興機構東京理科大学、京都工芸繊維大学、筑波大学などの共同研究により、説明可能AIを用いたフェルミ面の自動解析手法が開発された。対象はホイスラー合金Co2MnGaxGe...
1701物理及び化学 エバネッセント円偏光によりキラルなナノ粒子の選択的輸送に成功 ～キラル分子の非接触光学分離技術の確立に向けた重要な一歩～
2026-04-24 東京理科大学,分子科学研究所東京理科大学と分子科学研究所の研究グループは、エバネッセント円偏光を用いてナノ光ファイバー上でキラルなナノ粒子を選択的に輸送することに成功した。対向伝搬する2つの光で非キラルな力を打ち消し、...
1701物理及び化学 磁性材料のエネルギー損失に潜む「熱ゆらぎ」を説明可能AIで解明 ～エントロピーの効果を世界初で可視化、新材料の設計指針を提示～
2026-04-21 東京理科大学,筑波大学,岡山大学,京都大学東京理科大学、筑波大学、岡山大学、京都大学の研究チームは、説明可能AIにエントロピー項を導入した「拡張型自由エネルギーモデル」を開発し、磁性材料のエネルギー損失に関与する熱ゆら...
1702地球物理及び地球化学 小惑星リュウグウ試料の磁気測定から探る初期太陽系の磁場環境
2026-03-03 東京理科大学東京理科大学、北海道大学、岡山理科大学、東北大学、名古屋大学の共同研究グループは、小惑星探査機「はやぶさ2」が回収した小惑星リュウグウのサブミリメートル試料約30個に対し、高感度SQUID磁力計を用いた磁気...
0402電気応用 “手のひらサイズ”のマイクロリアクターを開発～600℃まで5分で起動し手で持つことができる世界最小クラスの固体酸化物形燃料電池を実現～
2025-12-26 東京科学大学東京科学大学（Science Tokyo）未来産業技術研究所を中心とする研究チームは、600℃以上で動作する固体酸化物形燃料電池（SOFC）を「手のひらサイズ」まで小型化し、実際に発電できる高断熱・耐熱マイ...
1600情報工学一般 さらに上手に“忘れる”AIへ ― 学習済みの知識をドメイン単位で忘却可能な世界初の新技術～不要な誤認を防ぎ、さらに信頼できるAIへ～
2025-12-02 東京理科大学,産業技術総合研究所事前学習済み大規模視覚言語モデル（VLM）から、特定ドメインの知識だけを選択的に“忘れさせる”新手法「近似ドメインアンラーニング（ADU）」が東京理科大学と産総研により提案された。従来は...
1600情報工学一般 AIの力で複雑なスペクトルの自動解析が可能に～X線データから材料の構造・欠陥・電子状態を高精度で判別～
2025-11-10 東京理科大学,東京大学,東京科学大学,筑波大学,科学技術振興機構東京理科大学の研究グループは、X線吸収分光法（XAS）で得られる複雑なスペクトルをAIで自動解析する新手法を開発した。対象は窒化ホウ素（BN）の結晶構造（...
0403電子応用 単一の半導体材料にて正孔と電子の異なる輸送異方性を実証～分子半導体における理論予測を実証し、次世代電子デバイス開発の新たな指針を提示～
2025-09-04 東京大学,横浜国立大学,東京理科大学,産業技術総合研究所,科学技術振興機構東京大学、横浜国立大学、東京理科大学、産総研、JSTの研究チームは、独自に開発したアンバイポーラ分子半導体「Ni(4OPr)」を用いて、単一材料...
1700応用理学一般 Ga系近似結晶で巨大磁気熱量効果を観測～環境負荷の少ない次世代冷却技術に期待～
2025-08-27 東京理科大学,科学技術振興機構東京理科大学の田村隆治教授らは、新手法「二重異原子価元素置換」を用いて Ga–Pt–Gd 近似結晶を基盤に Au を加えた四元系 Ga–Au–Pt–Gd 1/1 近似結晶を合成し、平均価電...
0403電子応用 スパッタ法を用いて高品質なScAlN薄膜の作製に成功 ～成長温度の系統的変化が構造特性と電気特性に及ぼす影響を解明～
2025-08-08 東京理科大学,住友電気工業株式会社,東京大学東京理科大学、住友電気工業、東京大学の共同研究チームは、産業的に汎用性の高いスパッタ法で高品質な窒化スカンジウムアルミニウム（ScAlN）薄膜の作製に成功しました。成長温度を...