単結晶成長

2026-06-17 東北大学東北大学の研究グループは、次世代ウルトラワイドバンドギャップ半導体材料として注目される窒化アルミニウム（AlN）の高品質単結晶を効率的に製造する新手法を開発した。AlNは深紫外LEDや高出力パワーデバイスの基板...