0403電子応用

磁気のない金属からナノ薄膜磁石を作ることに成功 0403電子応用

磁気のない金属からナノ薄膜磁石を作ることに成功

磁力が微弱でも磁気を保持する力が強いナノ薄膜磁石の開発に成功し、ナノ薄膜磁石を用いた素子の基本特性を室温で観測することに成功した。
次世代の指向性白色光源の開発に成功 ~ナノアンテナで明日を照らす~ 0403電子応用

次世代の指向性白色光源の開発に成功 ~ナノアンテナで明日を照らす~

金属ナノシリンダー周期アレイ構造を蛍光体基板上に作製することで、蛍光の方向を揃える「ナノアンテナ」として働き、青色と蛍光の放射方向を揃え、指向性を持った白色光を作り出すことができた。また、アレイのない基板に比べ最大7倍にまで高められた。
熱による高速・高効率な磁極制御、MRAMとAIハードウェアの低消費電力化の実現へ向けて 0403電子応用

熱による高速・高効率な磁極制御、MRAMとAIハードウェアの低消費電力化の実現へ向けて

ナノサイズの磁石を熱により磁極の効率的な制御を実現した。その結果、ナノサイズの磁石が高周波電気信号を増幅するという新たな現象を発見した。
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SiCを用いた次世代型トランジスタ構造を開発 0403電子応用

SiCを用いた次世代型トランジスタ構造を開発

炭化ケイ素(SiC)半導体を用いた1.2 kV耐電圧(耐圧)クラスの縦型スーパージャンクション(SJ)MOSFETを開発し、SiCトランジスタの世界最小オン抵抗を達成した。
強誘電体二酸化ハフニウムを用いたトランジスターとメモリーの動作メカニズムを解明 0403電子応用

強誘電体二酸化ハフニウムを用いたトランジスターとメモリーの動作メカニズムを解明

強誘電体であるHfO2(二酸化ハフニウム)をゲート絶縁膜とするトランジスターがより低電圧で動作する仕組みを実験的に解明した。
EUVリソグラフィの性能を向上する露光モジュールを開発 0403電子応用

EUVリソグラフィの性能を向上する露光モジュールを開発

産学共同実用化開発事業NexTEPの成果 2018/12/04  科学技術振興機構,大阪大学 ,東京エレクトロン九州株式会社 ポイント 最先端半導体デバイス製造のための極端紫外線(EUV)リソグラフィでは、露光光源強度不足で生産性が低く、高...
ナノスケールの光による新しい電子輸送現象を解明 0403電子応用

ナノスケールの光による新しい電子輸送現象を解明

プラズモニックナノ構造体を用いた可視光の効率的利用に向けて 2018/11/30  科学技術振興機構 ポイント 金属ナノ構造体の表面プラズモン共鳴は効率的な光の利用を可能にする技術として応用が期待されているが、ナノスケールの超微小空間に閉じ...
超伝導体を利用した新たな環境発電機能を実証 0402電気応用

超伝導体を利用した新たな環境発電機能を実証

第二種超伝導体の渦糸液体状態注を利用した新たな環境発電機能を実証した。
全固体電池実現のネックを解明 0403電子応用

全固体電池実現のネックを解明

正極材料コバルト酸リチウム(LiCoO2)と固体電解質リン酸リチウム(Li3PO4)との界面を作製し、非破壊で測定できる表面X線回折を用いて界面構造を精密に調べた。低い抵抗を示す界面は原子が規則的に配列していることを明らかにした。
高感度でやわらかいpHセンサーを開発 0403電子応用

高感度でやわらかいpHセンサーを開発

電荷結合素子(CCD)・転送・蓄積構造を世界で初めてフレキシブルフィルム上に実現したことにより、通常の4倍以上の感度のpHセンサーを薄く柔らかく作ることに成功。また同時に安定なフレキシブル温度センサーも集積した。
室温で巨大な応答を示す”ワイル反強磁性体”の薄膜化に成功 0403電子応用

室温で巨大な応答を示す”ワイル反強磁性体”の薄膜化に成功

室温において大きな異常ホール効果を自発的に示す反強磁性体薄膜の開発に成功。反強磁性体薄膜はシリコン基板上に作製でき、室温駆動する。磁気デバイスの低消費電力化・高密度化・高速化や、反強磁性体メモリ素子・熱電変換素子の開発進展が期待される。
グラフェンをトポロジカル絶縁体に変えることに成功 0403電子応用

グラフェンをトポロジカル絶縁体に変えることに成功

2018/11/12  東京大学,青山学院大学,カリフォルニア大学 発表のポイント 炭素の単原子シート物質であるグラフェンに微量のビスマスとテルルから成る微粒子を導入することで、トポロジカル絶縁体にすることに成功した。 理論的に予言されてい...
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