0403電子応用 交替磁性体でスイッチ可能なカイラルマグノンを観測
2026-06-16 東京大学,高エネルギー加速器研究機構東京大学と高エネルギー加速器研究機構（KEK）の国際共同研究チームは、新しい磁性材料「交替磁性体（Altermagnet）」で、右回り・左回りのカイラリティを持つマグノン（スピン波）...
0403電子応用
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0403電子応用 微細な材料差異を検出できる超小型カメラチップを開発（Tiny chip could help cameras spot hidden details）
2026-06-16 ロイヤルメルボルン工科大学（RMIT）オーストラリアのRMIT大学の研究チームは、従来のカメラでは捉えにくい「色（波長）」の詳細情報を取得できる超小型フォトニックチップを開発した。この技術は、光を波長ごとに分離する微細...
0403電子応用 シリコン上の縦型GaNデバイス実現に道を拓く低抵抗バッファー層を開発 — GaNのエピタキシャル成長と縦方向の電気伝導を両立 —
2026-06-15 物質・材料研究機構NIMS（物質・材料研究機構）は、安価なシリコン（Si）ウェハー上で縦型窒化ガリウム（GaN）デバイスを実現するための新しいエピタキシャル成膜技術を開発した。研究チームは、Siと窒素からなる極薄の「ア...
0403電子応用 共振器フリーで光の伝搬モードを制御可能な新手法の開発に成功 ～超蛍光の量子性の解明に向けて大きく前進～
20206-06-16 茨城大学茨城大学と青山学院大学の研究グループは、光の伝搬モード（指向性）を共振器なしで制御する新手法を開発した。従来はレーザーや量子光学実験において共振器が不可欠だったが、装置サイズや実験条件に制約があった。本研究で...
0403電子応用 「設計された」超伝導ダイヤモンド：量子チップ多機能化への道を解明（‘Designer’ Superconducting Diamond: Researchers Uncover Path to Multimodality Quantum Chips）
2026-06-15 アルゴンヌ国立研究所（ANL）米国のArgonne National Laboratoryを中心とする研究チームは、ホウ素を添加した超伝導ダイヤモンドの電子状態を詳細に解析し、その超伝導発現機構を解明した。研究では、高...
0403電子応用 シリコンチップ上に直接作製できる「ナノコンポジット磁性ガーネット材料」を開発 ―よりシンプルで高性能な集積型光アイソレーターを実証、 AI時代の高速・安定な光通信へ貢献―
2026-06-15 東北大学東北大学と京セラの共同研究グループは、シリコン基板上に直接形成できる新しい磁気光学材料「ナノコンポジット磁性ガーネット膜」を開発し、それを用いた高性能な集積型光アイソレーターの実証に成功した。AI時代のデータセ...
0403電子応用 時間反転対称超伝導ダイオード効果の一般理論枠組みを提案 (A General Framework Proposed for Time-reversal Symmetric Superconducting Diode Effect)
2026-06-12 合肥物質科学研究院（HFIPS）中国科学院合肥物質科学研究院・中国強磁場科学センターの鄭国林教授らの研究チームは、時間反転対称性を維持したまま超伝導ダイオード効果を実現する新たな手法を提案し、その成果を発表した。研究で...
0403電子応用 世界最高速のガラス微細貫通穴加工技術を開発 －次世代半導体デバイス製造のキーテクノロジー－
2026-06-10 理化学研究所,株式会社エンプラス研究所理化学研究所とエンプラス研究所の共同研究グループは、次世代半導体デバイスに不可欠なガラス基板への微細貫通穴（TGV）を、世界最高速度で加工する新技術を開発した。新たに開発したGHz...
温度センサアレイを高速・低消費電力で読み出す新技術を開発～生物を参考にしたノイズに強い新規デジタル方式～
2026-06-10 九州大学九州大学の研究グループは、電子皮膚（e-skin）などで利用される温度センサアレイ向けに、高速かつ低消費電力で動作する新たな読み出し技術「ダイレクト・デジタル読み出し方式（DDRO）」を世界で初めて開発した。従...
0403電子応用 高精度光学コーティングの新産業生産システムを開発（EOSS—A New Industrial Production System for Precision Optical Coatings）
2026-06-10 フラウンホーファー研究機構ドイツのフラウンホーファー応用光学・精密工学研究所（IOF）は、高精度光学コーティングの産業生産を効率化する新しい製造システム「EOSS（Enhanced Optical Surface Sy...
0403電子応用 超高速・省エネルギー強誘電体メモリを半導体製造プロセスに統合（Ferroelectric Memory—Fast, Energy-Efficient Data Storage）
2026-06-10 フラウンホーファー研究機構ドイツのフラウンホーファー光電子マイクロシステム研究所（IPMS）は、半導体大手GlobalFoundriesと共同で、酸化ハフニウム（HfO₂）を利用した強誘電体RAM（FRAM）を既存の半...
0403電子応用 先端ロジック半導体のゲート絶縁膜の新技術を開発：界面層の薄層化とダイポール層への新規材料の導入によりトランジスタの性能向上へ
2026-06-09 東京大学技術研究組合最先端半導体技術センター（LSTC）は、NEDO事業の一環として、2nm世代以降（Beyond 2nm）の先端ロジック半導体向け新型ゲート絶縁膜技術を開発した。研究では、ゲート絶縁膜中のシリコン酸化...