0403電子応用 Snを添加したIGZO材料を用いた三次元集積メモリデバイスを開発
Snを添加した酸化物半導体IGZOを用いたトランジスタと強誘電体HfO2キャパシタを集積し、プロセッサの集積回路の配線層に混載可能なメモリデバイス技術の開発に成功した。
0403電子応用
0505化学装置及び設備
0400電気電子一般
0401発送配変電
0502有機化学製品
1700応用理学一般