高純度スズ系ペロブスカイト半導体膜の作製法を確立

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4価のスズ不純物を取り除くスカベンジャー法の開発

2020-06-16 京都大学,科学技術振興機構

京都大学 化学研究所の若宮 淳志 教授、中村 智也 同助教、ミンアン・チョン 同助教、シュアイフェン・フ 同博士課程学生、大塚 健斗 同修士課程学生、半田 岳人 同特任助教、金光 義彦 同教授、リチャード・マーディ 同講師、名古屋市立大学大学院の笹森 貴裕 教授、および京都大学 大学院工学研究科の大北 英生 教授らの研究グループは、スズ系ペロブスカイト前駆体溶液中の4価のスズ不純物を系中で取り除く手法を開発しました。これにより、優れた半導体特性を示す、高純度スズ系ペロブスカイト半導体膜の作製法を確立することができました。

本研究成果は、2020年6月16日(英国夏時間)に国際学術誌「Nature Communications」にオンライン掲載されます。

詳しい資料は≫

<論文タイトル>
“n4+-free tin perovskite films realized by in situ Sn0 nanoparticle reducing treatment of perovskite precursor solutions”

(Snナノ粒子を用いた還元処理によるSn4+フリーのスズ系ペロブスカイト膜の作製)

著者:Tomoya Nakamura, Shinya Yakumaru, Minh Anh Truong, Kyusun Kim, Jiewei Liu, Shuaifeng Hu, Kento Otsuka, Ruito Hashimoto, Richard Murdey, Takahiro Sasamori, Hyung Do Kim, Hideo Ohkita, Taketo Handa, Yoshihiko Kanemitsu, Atsushi Wakamiya
DOI:10.1038/s41467-020-16726-3
<お問い合わせ先>
<研究に関すること>

若宮 淳志(ワカミヤ アツシ)

京都大学 化学研究所 教授

<JST事業に関すること>

大矢 克(オオヤ マサル)

科学技術振興機構 未来創造研究開発推進部

<報道担当>

京都大学 総務部 広報課 国際広報室

科学技術振興機構 広報課

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