1700応用理学一般 新しい化合物半導体の低温生成領域を開拓
結晶欠陥の形成メカニズム解明や欠陥を生かした半導体デバイスの実現へ2022-03-28 愛媛大学本研究成果のポイント ビスマス(Bi)系III-V族半導体半金属混晶の一つであるGaAsBi(砒化ガリウムビスマス)の生成において、生成時に使用...
1700応用理学一般
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2000原子力放射線一般
0505化学装置及び設備
2002原子炉システムの運転及び保守
1702地球物理及び地球化学
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0604繊維二次製品の製造及び評価
1701物理及び化学
1700応用理学一般
2001原子炉システムの設計及び建設