薄膜トランジスタ

有機半導体のデバイス性能を決める要因を見逃すな ー分子層内相互作用による構造安定化が電荷移動度向上に寄与ー 0403電子応用

有機半導体のデバイス性能を決める要因を見逃すな ー分子層内相互作用による構造安定化が電荷移動度向上に寄与ー

2026-10-07 東京科学大学東京科学大学、東京大学、北里大学、筑波大学などの研究チームは、有機半導体のデバイス性能を左右する要因として、結晶構造だけでなく、デバイス界面における分子の動的な振る舞いが重要であることを明らかにした。n型有...
安全かつ簡便に作れる高性能薄膜トランジスタ~水素ガス不要で、電界効果移動度は従来比10倍~ 0403電子応用

安全かつ簡便に作れる高性能薄膜トランジスタ~水素ガス不要で、電界効果移動度は従来比10倍~

2025-08-20 北海道大学北海道大学の研究グループ(太田裕道教授ら)は、水素ガスを用いずに高性能薄膜トランジスタを作製する新手法を開発しました。従来の水素添加酸化インジウム薄膜トランジスタは、主流のIGZO素子の約10倍となる高い電界...
薄膜トランジスタアレイの検査技術を大幅に高速・大面積化 0403電子応用

薄膜トランジスタアレイの検査技術を大幅に高速・大面積化

-印刷法で製造したディスプレーなどの駆動回路の非破壊インライン検査が可能に-2018/1/15産総研 薄膜トランジスタ(TFT)アレイの駆動状態を光学イメージ化して非破壊で一括検査する技術を大幅に改良 ディスプレーなど情報出力機器のTFTと...
ad
タイトルとURLをコピーしました